[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201980078054.0 | 申请日: | 2019-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN113169191A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 姜锺赫;赵显敏;金大贤;任铉德 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.显示装置,包括:
衬底,包括显示区域和非显示区域;以及
多个像素,设置在所述显示区域上,所述多个像素中的每个包括多个子像素,
其中,所述多个子像素中的每个子像素包括发射区域和非发射区域,所述多个子像素中的每个包括像素电路层和显示元件层,所述像素电路层包括至少一个晶体管,所述显示元件层包括至少一个发光元件,所述发光元件连接到所述晶体管以发射光,
其中,所述显示元件层包括:
第一电极和第二电极,彼此间隔开,且所述发光元件在所述第一电极和所述第二电极之间;
所述发光元件,连接在所述第一电极和所述第二电极之间;以及
平坦化层,设置在所述像素电路层上,并且与所述发光元件的相对端中的每个的至少一部分接触,
其中,在平面图中,所述平坦化层与所述第一电极和所述第二电极中的每个重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述平坦化层的宽度等于或大于所述发光元件的长度。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,在剖视图中,所述平坦化层的高度小于所述发光元件的直径。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示元件层还包括:
第一绝缘层,用于包围所述第一电极和所述第二电极中的每个的一部分;以及
支承层,设置在所述第一绝缘层上,以支承所述发光元件。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述支承层以被填充在所述发光元件的下表面与位于面对所述下表面的所述像素电路层上的所述第一绝缘层之间的形式设置。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述平坦化层和所述支承层一体地设置,并且包括相同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述平坦化层和所述支承层各自包括具有有机材料的有机绝缘层。
8.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述显示元件层还包括:
第二绝缘层,设置在所述发光元件的上表面上;
第一接触电极,用于将所述发光元件的所述相对端中的任何一端与所述第一电极连接;以及
第二接触电极,用于将所述发光元件的所述相对端中的剩余端与所述第二电极连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个设置在所述平坦化层上并且与所述平坦化层重叠。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极设置在相同的层上,并且在所述第二绝缘层上彼此间隔开并且彼此电分离。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述显示元件层还包括:
第三绝缘层,设置在所述第一接触电极上;以及
第四绝缘层,设置在所述第二接触电极上。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极设置在不同的层上,并且彼此电分离。
13.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述显示元件层还包括封盖层,所述封盖层分别设置在所述第一电极和所述第一接触电极之间以及所述第二电极和所述第二接触电极之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层暴露所述封盖层的在所述第一电极上的一部分,使得所述第一电极与所述第一接触电极电连接,且所述第一绝缘层暴露所述封盖层的在所述第二电极上的一部分,使得所述第二电极与所述第二接触电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





