[发明专利]非易失性存储器中的行相关感测

说明书

本发明描述了一种用于解决存储器孔中的制造差异的方法和结构。增加该存储器孔与蚀刻剂源或其他制造材料的距离导致存储器从外部存储器孔到内部存储器孔的不同特性。这些差异可通过对该存储器孔进行分组并基于该分组改变编程或验证操作的参数来解决。内部分组的位线电压可小于外部分组的位线电压。相对于该内部分组，该外部分组的感测定时可以更大。这可导致该内部分组和该外部分组的电压阈值彼此重叠以改善存储器性能。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年6月5日提交的美国非临时申请序列号16/432,142的优先权和权益。

技术领域

本公开涉及存储器系统，并且具体地涉及具有行相关感测的存储器方法和系统。

背景技术

存储器设备通常被提供为计算机或其他电子设备中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和闪存存储器。

闪存存储器设备已发展为广泛范围的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。非易失性存储器是可在不施加电力的情况下将其数据值保持一定延长周期的存储器。闪存存储器设备通常使用单晶体管存储器单元，该单晶体管存储器单元允许高存储器密度、高可靠性和低功耗。通过电荷存储结构(例如，浮栅或电荷阱)的编程(有时称为写入)或其他物理现象(例如，相变或极化)，该单元的阈值电压的改变确定每个单元的数据值。闪存存储器和其他非易失性存储器的常见用途包括个人计算机、个人数字助理(PDA)、数字相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线设备、移动电话和可移除存储器模块，并且非易失性存储器的用途继续扩展。

NAND闪存存储器设备是常见类型的闪存存储器设备，如此称谓是因为其中布置了基本存储器单元配置的逻辑形式。通常，NAND闪存存储器设备的存储器单元的阵列被布置成使得阵列的行的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，诸如字线。阵列中的列包括在一对选择线(诸如源极选择线和漏极选择线)之间源极到漏极串联连接在一起的存储器单元的串(通常称为NAND串)。闪存存储器设备的制造方法可导致在管芯中竖直形成的不同存储器孔的不同阈值电压。

发明内容

本公开整体涉及使用行相关感测的存储器系统和方法，该行相关感测使用不同位线电压来说明邻近蚀刻剂源的存储器孔和远离蚀刻剂源的存储器孔的不同特性。使用不同的位线电压可使用于感测存储器孔处的存储器单元的电压阈值偏移。存储器孔是在存储器的制造期间形成的。

所公开的实施方案的一方面包括非易失性存储器感测方法，该方法可包括将第一位线电压施加到外部第一组存储器孔；将第二位线电压施加到定位在第一组存储器孔的内部的第二组存储器孔，该第二位线电压小于第一位线电压；将第三位线电压施加到定位在第二组存储器孔的内部的第三组存储器孔，该第三位线电压小于第二位线电压。

在本公开的一方面，该方法可包括感测第一组存储器孔、第二组存储器孔和第三组存储器孔的数据状态。

在本公开的一方面，第一位线电压、第二位线电压和第三位线电压使用漏极电压感应的势垒降低来将第一组存储器孔的电压阈值与第二组存储器孔和第三组存储器孔中的至少一者对准。

在本公开的一方面，施加第一位线电压减小第一存储器孔的第一电压阈值以与第二组存储器孔的第二电压阈值重叠。

在本公开的一方面，感测包括：接收编程命令，初始化计数器，以编程电压发送编程脉冲，设置字线验证电压，设置第一位线电压，设置第二位线电压，设置第三位线电压，以及验证第一组存储器孔、第二组存储器孔和第三组存储器孔中的存储器单元超过电压阈值。

在本公开的一方面，验证包括在多个存储器单元未超过阈值的情况下，将计数器增加一并且增加字线电压。