[发明专利]非易失性存储器中的行相关感测在审

专利信息
申请号: 201980077965.1 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN113168874A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 杨翔;曾怀远;D·杜塔 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/24;G11C16/34;G11C16/08;H01L27/11514
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 中的 相关
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器感测方法,包括:

将第一位线电压施加到外部第一组存储器孔;

将第二位线电压施加到定位在所述第一组存储器孔的内部的第二组存储器孔,所述第二位线电压小于所述第一位线电压;

将第三位线电压施加到定位在所述第二组存储器孔的内部的第三组存储器孔,所述第三位线电压小于所述第二位线电压;以及

感测所述第一组存储器孔、所述第二组存储器孔和所述第三组存储器孔的数据状态。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一位线电压、所述第二位线电压和所述第三位线电压使用漏极电压感应的势垒降低来将所述第一组存储器孔的电压阈值与所述第二组存储器孔和所述第三组存储器孔中的至少一者对准。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述施加第一位线电压减小所述第一存储器孔的第一电压阈值以与所述第二组存储器孔的第二电压阈值重叠。

4.根据权利要求1所述的方法,其中感测包括:

接收编程命令;

初始化计数器;

以编程电压发送编程脉冲;

设置字线验证电压;

设置所述第一位线电压;

设置所述第二位线电压;

设置所述第三位线电压;以及

验证所述第一组存储器孔、所述第二组存储器孔和所述第三组存储器孔中的存储器单元超过电压阈值。

5.根据权利要求4所述的方法,其中验证包括在多个所述存储器单元未超过阈值的情况下,将所述计数器增加一并且增加所述字线电压。

6.根据权利要求1所述的方法,其中验证包括将所述第一位线电压置于仅连接到所述第一组存储器孔的第一位线上,将所述第二位线电压置于仅连接到所述第二组存储器孔的第二位线上,并且将所述第三位线电压置于仅连接到所述第三组存储器孔的第三位线上。

7.一种非易失性存储器感测方法,包括:

将第一感测时间应用到外部第一组存储器孔;

将第二感测时间应用到定位在所述第一组存储器孔的内部的第二组存储器孔,所述第二感测时间小于所述第一感测时间;

将第三感测时间应用到定位在所述第二组存储器孔的内部的第三组存储器孔,所述第三感测时间小于所述第二感测时间;以及

感测所述第一组存储器孔、所述第二组存储器孔和所述第三组存储器孔的数据状态。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述第一感测时间、所述第二感测时间和所述第三感测时间使用感测时间效应来将所述第一组存储器孔的所述电压阈值与所述第二组存储器孔和所述第三组存储器孔中的至少一者对准。

9.根据权利要求7所述的方法,其中应用第一感测时间减小所述第一存储器孔的第一电压阈值以与所述第二组存储器孔的第二电压阈值重叠。

10.根据权利要求1所述的方法,其中感测包括:

接收编程命令;

初始化计数器;

以编程电压向字线发送编程脉冲;

设置字线验证电压;

设置所述第一感测时间;

设置所述第二感测时间;

设置所述第三感测时间;以及

验证所述第一组存储器孔、所述第二组存储器孔和所述第三组存储器孔中的存储器单元超过电压阈值。

11.根据权利要求10所述的方法,其中验证包括在多个所述存储器单元未超过阈值的情况下,将所述计数器增加一并且增加所述字线电压。

12.根据权利要求11所述的方法,其中验证包括在仅连接到所述第一组存储器孔的第一位线上感测所述第一感测时间,在仅连接到所述第二组存储器孔的第二位线上感测所述第二感测时间,以及在仅连接到所述第三组存储器孔的第三位线上感测所述第三感测时间。

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