[发明专利]粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及半导体形成基板的薄化方法

说明书

本发明涉及一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及剥离成分(B)，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含SiO₂所示的硅氧烷单元(Q单元)等，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含SiO₂所示的硅氧烷单元(Q’单元)等，所述聚有机硅氧烷(a2)包含SiO₂所示的硅氧烷单元(Q”单元)等，并且官能团(Si－H)的量为5.0mol/kg以上。

技术领域

本发明涉及一种粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及半导体形成基板的薄化方法。

背景技术

就以往在二维的平面方向上集成的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步还向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使所集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。

薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。

当对该临时粘接的拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或变形。为了防止这样的情况发生，临时粘接的支承体必须容易拆卸。但是，另一方面，在半导体晶片的背面研磨时，临时粘接的支承体会因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，对于临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，在研磨后容易拆卸。

例如，追求下述性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)。

根据这样的状况，对于临时粘接而言，需要研磨时相对于平面方向的高应力(强粘接力)和拆卸时相对于纵向的低应力(弱粘接力)。作为与此相关的方法，报告有如下方法：具有粘接层和分离层，分离层通过二甲基硅氧烷的等离子体聚合形成，在研磨后机械分离(例如专利文献1、2)；利用粘接性组合物将支承基板与半导体晶片粘接，对半导体晶片的背面进行了研磨后，利用蚀刻液去除粘接剂(例如专利文献3)。此外，作为与此相关的将支承体与半导体晶片粘接的粘接层等，报告有如下晶片加工体，该晶片加工体包含利用铂催化剂使含烯基的聚有机硅氧烷与含氢化硅烷基的聚有机硅氧烷聚合的聚合层与由热固性聚硅氧烷构成的聚合层的组合(例如专利文献4～6)。还报告有作为氢化硅烷化反应的抑制剂的长链α－乙炔醇和固化性硅酮(Silicone)组合物(例如专利文献7)。然而，随着近年来的半导体领域的迅速发展，始终存在对新技术、改良技术的强烈期望，也追求与临时粘接相关的新技术、改良技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2012－510715号公报

专利文献2：日本特表2012－513684号公报

专利文献3：日本特开2013－179135号公报

专利文献4：日本特开2013－232459号公报

专利文献5：日本特开2006－508540号公报

专利文献6：日本特开2009－528688号公报

专利文献7：日本特开平6－329917号公报

发明内容

发明所要解决的问题