[发明专利]粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及半导体形成基板的薄化方法

权利要求书

1.一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：

成分A，通过氢化硅烷化反应而固化；以及

剥离成分B，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，

所述成分A包含聚硅氧烷A1和铂族金属系催化剂A2，

所述聚硅氧烷A1包含选自由SiO₂所示的硅氧烷单元即Q单元、R¹R²R³SiO_1/2所示的硅氧烷单元即M单元、R⁴R⁵SiO_2/2所示的硅氧烷单元即D单元以及R⁶SiO_3/2所示的硅氧烷单元即T单元构成的组中的一种或两种以上的单元，其中，所述R¹～R⁶为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基、烯基或氢原子，

所述聚硅氧烷A1包含聚有机硅氧烷a1和聚有机硅氧烷a2，

所述聚有机硅氧烷a1包含选自由SiO₂所示的硅氧烷单元即Q’单元、R¹’R²’R³’SiO_1/2所示的硅氧烷单元即M’单元、R⁴’R⁵’SiO_2/2所示的硅氧烷单元即D’单元以及R⁶’SiO_3/2所示的硅氧烷单元即T’单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种，其中，所述R¹’～R⁶’为与硅原子键合的基团，分别独立地表示烷基或烯基，但所述R¹’～R⁶’中的至少一个为所述烯基，

所述聚有机硅氧烷a2包含选自由SiO₂所示的硅氧烷单元即Q”单元、R¹”R²”R³”SiO_1/2所示的硅氧烷单元即M”单元、R⁴”R⁵”SiO_2/2所示的硅氧烷单元即D”单元以及R⁶”SiO_3/2所示的硅氧烷单元即T”单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种，并且所述聚有机硅氧烷a2中的官能团Si－H的量为5.0mol/kg以上，其中，所述R¹”～R⁶”为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基或氢原子，但所述R¹”～R⁶”中的至少一个为氢原子。

2.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

所述环氧改性聚有机硅氧烷为环氧值0.1～5的环氧改性聚有机硅氧烷。

3.一种层叠体，其特征在于，具备：由半导体形成基板构成的第一基体；由支承基板构成的第二基体；以及粘接层，在所述第一基体与所述第二基体之间以能剥离的方式粘接，

所述粘接层为使用权利要求1或2所述的粘接剂组合物而形成的固化膜。

4.一种层叠体的制造方法，其中，包括：

在由半导体形成基板构成的第一基体或由支承基板构成的第二基体上，涂布权利要求1或2所述的粘接剂组合物而形成粘接剂涂布层的工序；以及

将所述第一基体与所述第二基体隔着所述粘接剂涂布层合并，一边实施加热处理和减压处理中的至少一方，一边施加所述第一基体和所述第二基体的厚度方向上的载荷，由此使所述第一基体、所述粘接剂涂布层以及所述第二基体密合，然后进行后加热处理的工序。

5.一种半导体形成基板的薄化方法，其中，包括：

在由半导体形成基板构成的第一基体或由支承基板构成的第二基体上，涂布权利要求1或2所述的粘接剂组合物而形成粘接剂涂布层的工序；

将所述第一基体与所述第二基体隔着所述粘接剂涂布层合并，一边实施加热处理和减压处理中的至少一方，一边施加所述第一基体和所述第二基体的厚度方向上的载荷，由此使所述第一基体、所述粘接剂涂布层以及所述第二基体密合，然后进行后加热处理，从而制造层叠体的工序；以及

对所述层叠体的所述第一基体实施薄化处理的工序。