[发明专利]基板清洗方法、处理容器清洗方法及基板处理装置在审
| 申请号: | 201980077095.8 | 申请日: | 2019-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN113169062A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 池田恭子;土桥和也;中岛常长;关口贤治;锦户修一;中城将人;安武孝洋 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清洗 方法 处理 容器 装置 | ||
一种基板清洗方法,包括:在处理容器的内部布置基板的工序;从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序;使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序;以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞,从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
技术领域
本公开涉及一种基板清洗方法、处理容器清洗方法及基板处理装置。
背景技术
专利文献1中记载的基板清洗方法包括:通过从喷嘴部喷出气体从而生成气体团簇的工序;以及向基板的表面垂直地照射气体团簇去除颗粒的工序。照射气体团簇时的自喷嘴部的顶端至基板的距离为10mm~100mm。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-26745号公报
发明内容
本发明要解决的问题
本公开的一个方面提供一种技术,其能够有效地将会对基板进行污染的颗粒去除。
用于解决问题的手段
根据本公开的一个方面,提供一种基板清洗方法,包括:在处理容器的内部布置基板的工序;从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序;使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序;以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞,从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
发明的效果
根据本公开的一个方面,能够有效地将会对基板进行污染的颗粒去除。
附图说明
图1是示出根据一个实施方式的基板处理装置的侧面图。
图2是示出根据一个实施方式的气体喷嘴移动机构的平面图。
图3是示出根据一个实施方式的垂直冲击波的针对基板的碰撞的剖面图。
图4是示出距气体喷嘴的喷射口的向下方向的距离L与从喷射口喷射的气体的压力之间的关系的一个示例的图。
图5是示出距气体喷嘴的喷射口的向下方向的距离L与从喷射口喷射的气体的质量通量密度之间的关系的一个示例的图。
图6是图5(c)所示的模拟结果的一个示例的曲线图。
图7是示出粒径200nm的颗粒的去除率PRE1和气体喷嘴的喷射口与基板的主表面之间的间隙G1之间的关系的一个示例的图。
图8是示出气体喷嘴的喷射口与基板的主表面之间的间隙G1与从喷射口喷射的气体的质量通量密度之间的关系的一个示例的图。
图9是示出根据一个实施方式的气体团簇的针对基板的碰撞的剖面图。
图10是示出粒径40nm的颗粒的去除率PRE2和气体喷嘴的喷射口与基板的主表面之间的间隙G1之间的关系的一个示例的图。
图11是示出根据一个实施方式的基板清洗方法的流程图。
图12是示出通过根据一个实施方式的基板清洗方法清洗的基板的状态的随时间经过的变化的图。
图13是示出根据一个实施方式的基板处理装置的处理容器清洗时的状态的侧面图。
图14是示出气体喷嘴的喷射口与基板保持部的基板保持面之间的间隙G2和从喷射口喷射的气体的流速之间的关系的一个示例的图。
图15是示出根据一个实施方式的处理容器清洗方法的流程图。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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