[发明专利]基板清洗方法、处理容器清洗方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板清洗方法，包括：

在处理容器的内部布置基板的工序；

从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；

使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及

通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。

2.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其中，

在使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞时，所述基板的所述主表面附近处的所述垂直冲击波的质量通量密度为6kg/m²s以上。

3.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法，其中，

在使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞时，所述气体喷嘴的所述喷射口与所述基板的所述主表面之间的间隙为37mm以上且45mm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板清洗方法，包括：

使通过气体的喷射而产生的气体团簇与所述基板的所述主表面碰撞的工序。

5.一种基板处理装置，包括：

处理容器；

基板保持部，对布置在所述处理容器的内部的基板进行保持；

气体喷嘴，向所述处理容器的内部喷射气体；以及

控制部，对所述气体的针对由所述基板保持部所保持的所述基板的碰撞进行控制，

其中，所述控制部通过使来自所述气体喷嘴的所述气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

在使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞时，所述控制部将所述基板的所述主表面附近处的所述垂直冲击波的质量通量密度控制为6kg/m²s以上。

7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其中，

在使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞时，所述控制部将所述气体喷嘴的喷射口与所述基板的所述主表面之间的间隙控制为37mm以上且45mm以下。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述控制部使通过气体的喷射而产生的气体团簇与所述基板的所述主表面碰撞。

9.一种处理容器清洗方法，包括：

从布置在处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；

使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与布置在所述处理容器的内部的碰撞板的表面碰撞的工序；

向所述处理容器的内壁面吹送通过所述垂直冲击波与所述碰撞板的所述表面碰撞而产生的气流的工序；以及

通过向所述处理容器的内壁面吹送所述气流，从而将附着在所述处理容器的内壁面上的颗粒去除的工序。

10.根据权利要求9所述的处理容器清洗方法，其中，

在使所述垂直冲击波与所述碰撞板的所述表面碰撞时，所述碰撞板的所述表面附近处的所述垂直冲击波的质量通量密度为6kg/m²s以上。

11.根据权利要求9或10所述的处理容器清洗方法，其中，

在使所述垂直冲击波与所述碰撞板的所述表面碰撞时，所述气体喷嘴的所述喷射口与所述碰撞板的所述表面之间的间隙为37mm以上且45mm以下。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的处理容器清洗方法，包括：

在所述处理容器的内部，形成对从所述处理容器的内壁面去除的所述颗粒进行搬运的涡状的气流的工序。