[发明专利]微装置匣体结构

权利要求书

1.一种微装置结构，其包括：

i.顶部及底部掺杂层，

ii.有源层或功能层，其位于所述顶层与所述底层之间，

iii.从所述顶部掺杂层到所述底部掺杂层的通孔，其中

b.所述通孔用电介质钝化并由导电材料部分或完全填充；及

c.所述微装置的顶表面由电介质层覆盖。

2.根据权利要求1所述的微装置结构，其中第一垫或凸块形成于所述微装置的顶表面上，且在所述电介质层中具有开口以提供到导电层的入口。

3.根据权利要求1所述的微装置结构，其中存在部分或完全耦合到所述顶部或底部掺杂层的欧姆层。

4.根据权利要求1所述的微装置结构，其中牺牲层形成于所述微装置的顶部上从而覆盖所述通孔。

5.根据权利要求4所述的微装置结构，其中牺牲层经图案化以具有通向所述微装置的开口以形成锚。

6.根据权利要求5所述的微装置结构，其中保护层的顶部上的区域在所述牺牲层中具有开口。

7.根据权利要求4所述的微装置结构，其中平坦化层形成于第一微装置衬底上以围绕所述微装置。

8.根据权利要求8所述的微装置结构，其中所述牺牲层中的开口用所述平坦化层填充，从而形成锚。

9.根据权利要求7所述的微装置结构，使用接合层将所述结构接合到第二衬底中。

10.根据权利要求9所述的微装置结构，所述平坦化层在与接合层接合之前产生并固化。

11.根据权利要求9所述的微装置结构，所述第一微装置衬底与所述微装置分离，从而使所述结构接合到所述第二衬底。

12.根据权利要求11所述的微装置结构，其中回蚀可暴露所述平坦化层的表面。

13.根据权利要求12所述的微装置结构，其中所述通孔的底部经回蚀以提供到所述导电材料的入口。

14.根据权利要求11所述的微装置结构，其中可在所述底部上形成层以将所述导电层连接到底表面。

15.根据权利要求1所述的微装置结构，其中第二垫或凸块形成于所述微装置的顶表面上以连接到顶部欧姆层或所述顶部掺杂层。

16.一种光电子装置，其包括：

a.多个半导体层，其经安置在衬底上，从而形成顶表面及底表面，其中所述多个半导体层具有形成至少一个侧表面的隔离区域，

b.至少一个导电垫，其在所述顶表面或所述底表面中的至少一者上耦合到所述光电子装置；及

c.一或多个延伸层，其在所述至少一个侧表面围绕所述光电子装置形成，其中所述至少一个导电垫延伸到所述一或多个延伸层。

17.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述一或多个延伸层覆盖所述光电子装置的至少一个侧。

18.根据权利要求16所述的光电子装置，其中所述至少一个接触层通过所述一或多个延伸层中的开口提供。

a.根据权利要求1所述的光电子装置，其进一步包括：

b.围绕至少一个接触件形成且在所述一或多个延伸层上延伸的电介质层。

19.根据权利要求16所述的光电子装置，其中所述至少一个导电垫沉积于所述至少一个接触层上并在所述电介质层上延伸。