[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，其特征在于，包括：

第一绝缘基板，该第一绝缘基板的一个面配置有第一导体层；

第一导体，该第一导体经由第一连接材料连接到所述第一导体层；以及

半导体元件，该半导体元件经由第二连接材料与所述第一导体连接，

在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下，

所述第一导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部，

在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。

2.如权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，包括：

第二导体，该第二导体经由第四连接材料连接到所述半导体元件的与连接有所述第一导体的面相反的面；以及

第二绝缘基板，该第二绝缘基板的一个面配置有第三导体层；

在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下，

所述第二导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部，

在所述周边部形成有用于使所述第五连接材料的厚度比其他部分厚的第二凹部。

3.如权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，

在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下，

所述第一凹部的深度在远离所述半导体元件的一侧比接近所述半导体元件的一侧要大。

4.如权利要求1至3中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下，

在所述第一凹部，在将与所述电极面平行的宽度方向的长度定义为W，将深度方向的长度定义为D的情况下，W/D为2以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述第一导体具有形成与所述第一连接材料的外周接近的一侧的所述凹部侧部的突起部，

所述突起部与所述第一连接材料接触。

6.如权利要求5所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述突起部与所述第一导体层接触。

7.如权利要求1至6中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下，

所述第一凹部形成在虚拟线与所述第一导体的外周之间，所述虚拟线由与所述半导体元件的端部相隔相当于所述第一导体的厚度的距离的点的集合构成。

8.如权利要求1至7中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述绝缘基板的另一个面配置有第二导体层，

所述功率半导体装置包括散热部，该散热部经由第三连接材料连接到所述第二导体层。

9.如权利要求1至8中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

在从所述第一导体层和所述第二导体层的排列方向看的情况下，

所述散热部具有形成得比所述第一导体大的第二周边部，

在所述第二周边部形成有用于使所述第三连接材料的厚度比其他部分厚的第三凹部。

10.如权利要求1至7中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述绝缘基板的另一个面配置有第二导体层，

所述第二导体层包括用于散热的翅片。

11.如权利要求1至10中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

所述周边部由形成有所述第一凹部的第一边、和没有形成凹部的第二边构成，

所述半导体元件配置成从该半导体元件到所述第一边的距离比从该半导体元件到所述第二边的距离小。

12.如权利要求1至11中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，

包括密封构件，该密封构件对所述绝缘基板、所述第一导体和所述半导体元件进行密封，

所述第一凹部的深度比沿着该深度方向的所述第一导体的侧面的长度小。