[发明专利]红外线传感器、红外线传感器阵列及红外线传感器的制造方法在审
| 申请号: | 201980074167.3 | 申请日: | 2019-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN113015889A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
| 发明(设计)人: | 高桥宏平;反保尚基;中村邦彦;藤金正树;内藤康幸 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号: | G01J1/02 | 分类号: | G01J1/02;H01L27/144;H01L37/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 红外线 传感器 阵列 制造 方法 | ||
本公开提供进一步提高红外线传感器的灵敏度的技术。本公开的红外线传感器具备:基底基板;测辐射热计红外线受光部;第1梁;及第2梁,在此,第1梁及第2梁各自具有与基底基板和/或基底基板上的构件连接的连接部和与基底基板分离的分离部,并且在分离部处与红外线受光部物理地接合,红外线受光部通过第1梁及第2梁以与基底基板分离的状态被支承,红外线受光部包括由电阻根据温度而变化的电阻变化材料形成的电阻变化部,电阻变化部由非晶质的半导体形成,第1梁及第2梁各自由结晶质的半导体形成且在分离部处与电阻变化部电连接,该结晶质的半导体由与电阻变化材料的母材相同的母材形成。
技术领域
本公开涉及红外线传感器、红外线传感器阵列及红外线传感器的制造方法。
背景技术
在红外线传感器的领域中,提出了使用梁来使红外线受光部与基底基板分离的结构。该结构以红外线受光部与基底基板热绝缘为目的。在具有该结构的红外线传感器中,梁的绝热性能越高,则红外线的受光灵敏度越提高。专利文献1公开了通过声子晶体结构的导入来提高梁的绝热性能的技术。
作为红外线传感器的一种,存在测辐射热计型传感器。测辐射热计型传感器也被称作热敏电阻型传感器。测辐射热计型传感器的红外线受光部包括电阻根据温度而变化的电阻变化材料。专利文献1公开的红外线传感器中包括测辐射热计型传感器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-223644号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本公开提供提高测辐射热计型红外线传感器中的红外线的受光灵敏度的技术。
用于解决课题的技术方案
本公开提供以下的红外线传感器。
一种红外线传感器,具备:
基底基板;
测辐射热计红外线受光部;
第1梁;及
第2梁,
在此,
所述第1梁及所述第2梁各自具有与所述基底基板和/或所述基底基板上的构件连接的连接部和与所述基底基板分离的分离部,并且在所述分离部处与所述红外线受光部物理地接合,
所述红外线受光部通过所述第1梁及所述第2梁以与所述基底基板分离的状态被支承,
所述红外线受光部包括由电阻根据温度而变化的电阻变化材料形成的电阻变化部,
所述电阻变化部由非晶质的半导体形成,
所述第1梁及所述第2梁各自由结晶质的半导体形成且在所述分离部处与所述电阻变化部电连接,所述结晶质的半导体由与所述电阻变化材料的母材相同的母材形成。
发明效果
本公开的红外线传感器是能够具有红外线的高受光灵敏度的测辐射热计型传感器。
附图说明
图1A是示意性地示出实施方式1的红外线传感器的剖视图。
图1B是示意性地示出实施方式1的红外线传感器的俯视图。
图2A是示意性地示出本公开的红外线传感器的梁(第1梁)能够具有的声子晶体结构的一例的俯视图。
图2B是示意性地示出本公开的红外线传感器的梁(第2梁)能够具有的声子晶体结构的一例的俯视图。
图3A是示出图2A的声子晶体结构所包括的第1畴中的单位晶格及其取向的示意图。
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