[发明专利]红外线传感器、红外线传感器阵列及红外线传感器的制造方法在审
| 申请号: | 201980074167.3 | 申请日: | 2019-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN113015889A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
| 发明(设计)人: | 高桥宏平;反保尚基;中村邦彦;藤金正树;内藤康幸 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号: | G01J1/02 | 分类号: | G01J1/02;H01L27/144;H01L37/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 红外线 传感器 阵列 制造 方法 | ||
1.一种红外线传感器,具备:
基底基板;
测辐射热计红外线受光部;
第1梁;及
第2梁,
所述第1梁及所述第2梁各自具有与所述基底基板和/或所述基底基板上的构件连接的连接部和与所述基底基板分离的分离部,并且在所述分离部处与所述红外线受光部物理地接合,
所述红外线受光部通过所述第1梁及所述第2梁以与所述基底基板分离的状态被支承,
所述红外线受光部包括由电阻根据温度而变化的电阻变化材料形成的电阻变化部,
所述电阻变化部由非晶质的半导体形成,
所述第1梁及所述第2梁各自由结晶质的半导体形成且在所述分离部处与所述电阻变化部电连接,所述结晶质的半导体由与所述电阻变化材料的母材相同的母材形成。
2.根据权利要求1所述的红外线传感器,
所述母材是硅或硅锗。
3.根据权利要求1或2所述的红外线传感器,
所述红外线受光部还包括绝缘层和红外线吸收层,
所述绝缘层和所述红外线吸收层在所述电阻变化部上依次层叠。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的红外线传感器,
所述电阻变化部以及所述第1梁及所述第2梁分别是由所述母材形成的半导体层的非晶质区域及结晶质区域。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的红外线传感器,
所述红外线传感器还具备配置在所述基底基板上的向远离所述基底基板的上表面的方向延伸的第1支柱及第2支柱,
所述第1支柱及所述第2支柱具有导电性,
所述第1梁在所述连接部处连接于所述第1支柱,
所述第2梁在所述连接部处连接于所述第2支柱,
在剖视下,所述红外线受光部、所述第1梁及所述第2梁通过所述第1支柱及所述第2支柱悬架在所述基底基板的上部。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的红外线传感器,
所述基底基板具有凹部,
所述凹部位于所述红外线受光部以及所述第1梁的所述分离部及所述第2梁的所述分离部与所述基底基板之间,
所述第1梁及所述第2梁各自在所述连接部处连接于所述基底基板,
在剖视下,所述红外线受光部以及所述第1梁的所述分离部及所述第2梁的所述分离部悬架在所述基底基板的所述凹部上。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的红外线传感器,
所述红外线传感器还在所述基底基板的表面中的面对所述红外线受光部的位置具备红外线反射膜。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的红外线传感器,
所述红外线传感器还在所述基底基板的内部具备读出集成电路即ROIC。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的红外线传感器,
所述第1梁中的位于其与所述红外线受光部的接合部和所述连接部之间的区间具有具备规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构,
所述第2梁中的位于其与所述红外线受光部的接合部和所述连接部之间的区间具有具备规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构。
10.根据权利要求9所述的红外线传感器,
所述第1声子晶体结构包括作为声子晶体区域的第1畴及第2畴,
在俯视下,所述第1畴具备在第1方向上规则地排列的所述多个贯通孔,
在俯视下,所述第2畴具备在与所述第1方向不同的第2方向上规则地排列的所述多个贯通孔,
所述第2声子晶体结构包括作为声子晶体区域的第3畴及第4畴,
在俯视下,所述第3畴具备在第3方向上规则地排列的所述多个贯通孔,
在俯视下,所述第4畴具备在与所述第3方向不同的第4方向上规则地排列的所述多个贯通孔。
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