[发明专利]带载体的金属箔、以及使用其的毫米波天线基板的制造方法

权利要求书

1.一种带载体的金属箔，其具备：

(a)载体；

(b)剥离功能层，其设置在所述载体上；以及

(c)复合金属层，其设置在所述剥离功能层上，

所述(b)剥离功能层包含：

(b1)密合层，其在靠近所述载体的一侧，厚度大于10nm且小于200nm；以及

(b2)剥离辅助层，其在远离所述载体的一侧，厚度为50nm以上且500nm以下，

所述(c)复合金属层包含：

(c1)碳层，其在靠近所述剥离辅助层的一侧；以及

(c2)第1金属层，其在远离所述剥离辅助层的一侧，主要由Au或Pt构成。

2.根据权利要求1所述的带载体的金属箔，其中，所述载体由玻璃、硅、或陶瓷构成。

3.根据权利要求1或2所述的带载体的金属箔，其中，所述剥离功能层具备至少1层包含80原子％以上的选自由Cu、Ti、Ta、Cr、Ni、Al、Mo、Zn、W、TiN、及TaN组成的组中的至少一种的层作为所述密合层和/或所述剥离辅助层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的带载体的金属箔，其中，所述剥离辅助层的厚度T₂相对于所述密合层的厚度T₁之比T₂/T₁大于1且为20以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的带载体的金属箔，其中，所述碳层包含无定形碳。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的带载体的金属箔，其中，所述第1金属层具有50nm以上且2000nm以下的厚度。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的带载体的金属箔，其中，所述复合金属层还包含(c3)第2金属层，其设置在所述碳层与所述第1金属层之间，包含50原子％以上的选自由Ti、Ta、Ni、W、Cr、及Pd组成的组中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的带载体的金属箔，其中，所述第2金属层具有50nm以上且1000nm以下的厚度。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的带载体的金属箔，其中，所述复合金属层还包含(c4)阻隔层，其设置在所述第1金属层的远离所述碳层一侧的面，总计包含50原子％以上的选自由Ti、Ta、Ni、W、Cr、及Pd组成的组中的至少一种。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的带载体的金属箔，其用于毫米波天线基板的制造。

11.一种毫米波天线基板的制造方法，其包括使用权利要求1～9中任一项所述的带载体的金属箔来制造毫米波天线基板的步骤。