[发明专利]固态成像器件和成像装置在审
| 申请号: | 201980073566.8 | 申请日: | 2019-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN112970116A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
| 发明(设计)人: | 野本和生 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 器件 装置 | ||
本发明的目的是改善噪声性能。根据本发明实施例的固态成像器件包括:多个光电转换元件(333),在行和列方向上以二维晶格排列,并根据接收的光量分别生成电荷;以及检测单元(400),基于在多个光电转换元件中生成的电荷来检测光电流。光电转换元件和检测单元的至少一部分设置在不同的芯片(201a、201b)中。
技术领域
本公开涉及一种固态成像器件和一种成像装置。
背景技术
传统的成像装置等包括同步型固态成像器件,其与同步信号(例如,垂直同步信号)同步地捕捉图像数据(帧)。允许这种典型的同步型固态成像器件在同步信号的每个周期(例如,1/60秒)中仅获取一次图像数据。在这种情况下,难以满足在与交通、机器人等相关的领域中对更高速处理的需求。因此,已经提出了一种非同步型固态成像器件,其包括为每个像素提供的检测电路,以实时检测作为地址事件的接收光量超过阈值。检测每个像素的地址事件的非同步型固态成像器件也被称为DVS(动态视觉传感器)。
[引用列表]
[专利文献]
[PTL 1]
JP-T-2016-533140
发明内容
[技术问题]
然而,典型的DVS被配置为使得用于生成对应于接收光量的电荷的光电转换元件和用于基于由光电转换元件中生成的电荷产生的光电流的电流值的变化来检测地址事件触发的存在或不存在的电路(以下称为像素电路)被集成在相同的基板上。在这种情况下,来自光电转换元件的暗电流流入构成像素电路的晶体管,并且导致DVS的噪声特性劣化的问题。
因此,本公开提出了一种能够改善噪声特性的固态成像器件和成像装置。
[问题的解决方案]
为了解决上述问题,根据本公开的一个方面的固态成像器件包括:多个光电转换元件,其在矩阵方向上排列成二维网格形状,并且每个光电转换元件生成对应于接收光量的电荷;以及检测单元,其检测由多个光电转换元件中的每一个中生成的电荷产生的光电流。光电转换元件和检测单元的至少一部分设置在不同的芯片上。
附图说明
图1是描绘根据第一实施例的固态成像器件和成像装置的示意性配置示例的框图。
图2是描绘根据第一实施例的固态成像器件的堆叠结构示例的示图。
图3是描绘根据第一实施例的固态成像器件的功能配置示例的框图。
图4是描绘根据第一实施例的单位像素的示意性配置示例的电路图。
图5是描绘根据第一实施例的地址事件检测单元的示意性配置示例的框图。
图6是描绘根据第一实施例的电流电压转换电路的另一示意性配置示例的电路图。
图7是描绘根据第一实施例的减法器和量化器的示意性配置示例的电路图。
图8是描绘根据第一实施例的固态成像器件的截面结构示例的截面图。
图9是描述根据第一实施例的第一芯片的层板图示例的平面图。
图10是描绘根据第一实施例的第二芯片的层板图示例的平面图。
图11是描绘根据第一实施例的第二芯片的另一层板图示例的平面图。
图12是表示晶体管的电流和噪声之间的关系的曲线图。
图13是描绘根据第二实施例的晶体管的示意性配置示例的截面图。
图14是通过实例方式表示图13所示的晶体管的电流电压特性的曲线图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





