[发明专利]固态成像器件和成像装置在审
| 申请号: | 201980073566.8 | 申请日: | 2019-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN112970116A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
| 发明(设计)人: | 野本和生 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 器件 装置 | ||
1.一种固态成像器件,包括:
多个光电转换元件,在矩阵方向上排列成二维网格形状,并且每个光电转换元件生成与接收光量对应的电荷;以及
检测单元,检测由所述多个光电转换元件的每一个光电转换元件中生成的电荷产生的光电流,其中,
所述光电转换元件和至少一部分所述检测单元设置在不同的芯片上。
2.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中,
所述检测单元包括电流电压转换电路,所述电流电压转换电路包括具有环形形状的源极跟随器电路,
所述光电转换元件设置在第一芯片上,并且
所述源极跟随器电路设置在接合到所述第一芯片的第二芯片上。
3.根据权利要求2所述的固态成像器件,其中,所述检测单元设置在所述第二芯片上。
4.根据权利要求2所述的固态成像器件,还包括:
第一晶体管,设置在所述光电转换元件和所述检测单元之间,其中,
所述第一晶体管设置在所述第一芯片上。
5.根据权利要求2所述的固态成像器件,还包括:
逻辑电路,连接到所述检测单元,其中,
所述逻辑电路设置在不同于所述第一芯片和所述第二芯片的第三芯片上。
6.根据权利要求2所述的固态成像器件,还包括:
驱动电路,控制从所述光电转换元件读出电荷,其中,
所述驱动电路设置在所述第二芯片上。
7.根据权利要求2所述的固态成像器件,还包括:
生成单元,生成像素信号,所述像素信号具有与在所述光电转换元件中生成的电荷的电荷量对应的电压值,其中,
所述生成单元设置在所述第二芯片上。
8.根据权利要求2所述的固态成像器件,还包括:
生成单元,生成像素信号,所述像素信号具有与在所述光电转换元件中生成的电荷的电荷量对应的电压值,其中,
所述生成单元设置于接合在所述第一芯片和所述第二芯片之间的第四芯片上。
9.根据权利要求7所述的固态成像器件,还包括:
第二晶体管,设置在所述光电转换元件和所述生成单元之间,其中,
所述第二晶体管设置在所述第一芯片上。
10.根据权利要求7所述的固态成像器件,其中,
所述多个光电转换元件被分成多组,每一组由一个或多个光电转换元件构成,并且
为所述多组中的每一组设置所述检测单元和所述生成单元。
11.根据权利要求10所述的固态成像器件,其中,所述多组中的每一组由光电转换元件的组合构成,每个光电转换元件接收重新配置入射光的颜色所需的光的波长分量。
12.根据权利要求10所述的固态成像器件,其中,
所述检测单元连接到所述多组中的第一组,
所述生成单元连接到所述多组中的第二组,并且
属于所述第一组的光电转换元件中的至少一者也属于所述第二组。
13.根据权利要求2所述的固态成像器件,其中,
所述源极跟随器电路包括
第三晶体管,所述第三晶体管中的源极连接到所述光电转换元件,以及
第四晶体管,所述第四晶体管的栅极连接到所述光电转换元件,所述第四晶体管的漏极连接到所述第三晶体管的栅极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





