[发明专利]设计和均匀地共同制造通过衬底的小过孔和大腔体的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：提供优选地具有形成在其中的集成电路的衬底或晶片；在所述衬底或晶片的至少第一部分或层中蚀刻出第一环沟槽，所述第一环沟槽具有第一周边，并且从所述衬底或晶片的第一主表面延伸；将载体晶片附着到所述衬底或晶片的主表面；在所述衬底或晶片的第二部分或层中蚀刻出第二环沟槽，所述第二环沟槽具有第二周边，所述第二周边的尺寸被设置为符合所述第一环沟槽的所述第一周边的确定限制内，所述第二环沟槽从所述衬底或晶片的第二主表面延伸，从而限定所述衬底或晶片的设置在所述第一周边和所述第二周边内部的仅附着到所述载体晶片的一部分；以及去除所述载体晶片以及所述衬底或晶片的先前设置在所述第一周边和所述第二周边内部的所述一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在蚀刻所述第二环沟槽之前，使所述衬底的远离所述载体晶片的一侧上的所述衬底或晶片减薄。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在蚀刻所述第二环沟槽之前，在所述衬底或晶片的所述第二主表面上形成蚀刻掩模。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬底或晶片的所述第一部分或层和所述第二部分或层中蚀刻出所述第一环沟槽的同时，在所述衬底或晶片的所述第一部分或层和所述第二部分或层中蚀刻出至少一个过孔，并且随后可选地用导电材料填充所述第一过孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一过孔具有宽度和高度，并且所述周边具有长度、宽度和高度；所述周边的长度大于所述第一过孔的宽度的两倍，并且所述周边的宽度不大于所述第一过孔的宽度的两倍。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一过孔的宽度最大为所述第一过孔的高度的一半。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述周边的长度和宽度包括在所述第一过孔的宽度的5倍与100倍之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一过孔的宽度大约为30微米。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使用等离子体干蚀刻来进行穿过所述衬底的所述蚀刻。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述衬底是SiC衬底。

11.一种方法，包括：提供晶片，所述晶片具有衬底和集成电路，所述衬底具有衬底顶表面和衬底底表面；所述集成电路形成在所述衬底顶表面上并且包括至少一条导电线；将载体晶片附着到所述顶层的顶表面；穿过衬底至少蚀刻出第一环沟槽和第一过孔，所述第一环沟槽具有从所述衬底底表面延伸到所述衬底顶表面的预定周边，由此形成所述晶片的位于所述周边内部的仅附着到所述载体晶片的一部分；所述第一过孔从所述衬底底表面延伸到所述至少一条导电线；以及去除所述载体晶片与所述晶片的位于所述周边内部的所述一部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，顶层覆盖所述衬底顶表面；所述方法还包括：在所述将载体晶片附着到所述顶层的顶表面之前，穿过所述顶层并向下至所述衬底顶表面、在所述预定周边上方蚀刻出第二环沟槽。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：在蚀刻所述第一环沟槽和所述第一过孔之前，使所述衬底底表面的一侧上的所述衬底减薄。

14.根据权利要求11所述的方法，还包括：在蚀刻所述第一环沟槽和所述第一过孔之前，在所述衬底底表面上形成蚀刻掩模。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一过孔具有宽度和高度，并且其中，所述周边具有长度、宽度和高度；所述周边的长度和宽度高均大于所述第一过孔的宽度的两倍。