[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

基板处理装置的喷嘴移动机构能够在从与基板(9)的上表面(91)的外周缘部(93)对置的最外位置至径向的内侧，使喷嘴部(31)接近上表面(91)并沿上表面(91)移动。在基板处理中，进行一边使喷嘴部(31)沿旋转的基板(9)的上表面(91)移动一边从喷嘴部(31)向上表面(91)喷出处理液的第一喷出动作、以及从停止在最外位置的喷嘴部(31)向旋转的基板(9)的上表面(91)喷出处理液的第二喷出动作。第二喷出动作中的基板(9)的转速比第一喷出动作中的转速高，或者/以及第二喷出动作中的处理液的喷出流量比第一喷出动作中的喷出流量低。由此，能够将利用处理液对外周缘部(93)进行的追加处理限定在狭窄的范围内进行。

技术领域

本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。

背景技术

现今，在半导体器件的制造中，使用了利用各种种类的处理液对半导体基板(以下简称为“基板”)进行处理的基板处理装置。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给处理液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。在日本特开2010-67819号公报中公开了以下方法：在喷嘴体从半导体晶片的周边部朝向中心部时使移动速度逐渐增加，且在从中心部朝向周边部时使移动速度逐渐降低，由此均匀地进行蚀刻处理。

然而，根据对基板进行的成膜方法等，有时形成在基板上的膜的厚度从中央部朝向外周缘部逐渐变大。在该情况下，为了使膜的厚度变得均匀(使膜变得平坦)，在蚀刻处理中，要求随着朝向外周缘部而增大蚀刻量。在从停止在与基板的中央部对置的中央位置的喷嘴部喷出蚀刻液的情况下，蚀刻量在基板的中央部变大。在一边使喷嘴部以恒定的移动速度在对置于基板的外周缘部的位置与中央位置之间移动一边从喷嘴部喷出蚀刻液的情况下，蚀刻量也在基板的中央部变大。

另一方面，通过随着喷嘴部的位置远离中央位置而降低喷嘴部的移动速度，能够随着朝向外周缘部而大致提高蚀刻量。然而，实际上，在基板的外周缘部及其内侧附近，蚀刻量大致恒定。也可以考虑从喷嘴部向基板的外周端面(斜面部)附近供给蚀刻液，而仅对外周缘部进行蚀刻，但在该情况下，有可能碰触到基板的外周端面的蚀刻液飞溅，经由周围的杯部等而再次附着于基板。因杯部的存在，也有时无法将喷嘴部配置于基板的外周端面的上方。

并且，在要求膜的蚀刻量遍及整个基板变得均等的情况下，也有时基板的外周缘部的蚀刻量与外周缘部的内侧附近相比不足。另外，在使用蚀刻液以外的处理液的情况下，也有时基板的外周缘部处的处理的程度与外周缘部的内侧附近相比不足。因此，要求抑制基板的外周端面处的处理液的溅起、并且将利用处理液对外周缘部进行的追加处理限定在狭窄的范围内进行的方法。

发明内容

本发明面向基板处理装置的基板处理方法，其目的在于，抑制基板的外周端面处的处理液的溅起，并且将利用处理液对外周缘部进行的追加处理限定在狭窄的范围内进行。

在本发明的基板处理方法中，基板处理装置具备：基板保持部，其以水平状态保持圆板状的基板；基板旋转机构，其使上述基板保持部旋转；处理液供给部，其从喷嘴部朝向上述基板的上表面喷出处理液；以及喷嘴移动机构，其能够在从与上述上表面的外周缘部对置的最外位置至径向的内侧使上述喷嘴部接近上述上表面并且沿上述上表面移动，上述基板处理方法包括以下工序：a)一边使上述喷嘴部沿旋转的上述基板的上述上表面移动，一边从上述喷嘴部向上述上表面喷出上述处理液，或者从停止在与上述上表面的中央部对置的中央位置的上述喷嘴部向旋转的上述基板的上述上表面喷出上述处理液的工序；以及b)从停止在上述最外位置的上述喷嘴部向旋转的上述基板的上述上表面喷出上述处理液的工序，由配置于上述最外位置的上述喷嘴部，向比上述基板的外周端面更靠内侧的区域喷出上述处理液，上述b)工序中的上述基板的转速比上述a)工序中的上述转速高，或者/以及上述b)工序中的上述处理液的喷出流量比上述a)工序中的上述喷出流量低。

根据本发明，能够抑制基板的外周端面处的处理液的溅起，并且能够将利用处理液对外周缘部进行的追加处理限定在狭窄的范围内进行。