[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，是基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，

上述基板处理装置具备：

基板保持部，其以水平状态保持圆板状的基板；

基板旋转机构，其使上述基板保持部旋转；

处理液供给部，其从喷嘴部朝向上述基板的上表面喷出处理液；以及

喷嘴移动机构，其能够在从与上述上表面的外周缘部对置的最外位置至径向的内侧，使上述喷嘴部接近上述上表面并且沿上述上表面移动，

上述基板处理方法包括以下工序：

a)一边使上述喷嘴部沿旋转的上述基板的上述上表面移动，一边从上述喷嘴部向上述上表面喷出上述处理液，或者从停止在与上述上表面的中央部对置的中央位置的上述喷嘴部向旋转的上述基板的上述上表面喷出上述处理液的工序；以及

b)从停止在上述最外位置的上述喷嘴部向旋转的上述基板的上述上表面喷出上述处理液的工序，

由配置于上述最外位置的上述喷嘴部向比上述基板的外周端面更靠内侧的区域喷出上述处理液，

上述b)工序中的上述基板的转速比上述a)工序中的上述转速高，或者/以及上述b)工序中的上述处理液的喷出流量比上述a)工序中的上述喷出流量低。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述a)工序中，上述喷嘴部在上述中央位置与上述最外位置之间移动，上述喷嘴部的位置越接近上述最外位置，则上述喷嘴部的移动速度越低。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述a)工序中，上述喷嘴部在上述中央位置与上述最外位置之间移动，上述喷嘴部的位置越接近上述最外位置，则上述基板的转速越低，或者上述处理液的喷出流量越高，

上述b)工序中的上述基板的转速比在上述a)工序中在上述最外位置的内侧附近配置上述喷嘴部时的上述转速高，或者/以及上述b)工序中的上述处理液的喷出流量比在上述a)工序中在上述最外位置的内侧附近配置上述喷嘴部时的上述喷出流量低。

4.根据权利要求2或3所述的基板处理方法，其特征在于，

上述处理液是对设于上述上表面的膜进行蚀刻的蚀刻液，

在上述上表面的除上述中央部以外的区域中，上述a)及b)工序所形成的上述膜的蚀刻量随着朝向上述外周缘部而逐渐增大。

5.根据权利要求1至4任一项中所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述a)工序中，上述喷嘴部在上述中央位置与上述最外位置之间反复移动，并且在上述喷嘴部到达上述最外位置后，立即朝向上述中央位置，

在上述a)工序完成后，上述喷嘴部被配置于上述最外位置，进行上述b)工序。

6.根据权利要求1至4任一项中所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述a)工序中，上述喷嘴部在上述中央位置与上述最外位置之间反复移动，在上述喷嘴部到达上述最外位置时，上述喷嘴部暂时停止在上述最外位置，进行上述b)工序。

7.根据权利要求1至6任一项中所述的基板处理方法，其特征在于，

上述基板保持部具备与上述基板的上述外周端面抵接的多个卡盘销。

8.根据权利要求1至7任一项中所述的基板处理方法，其特征在于，

上述基板处理装置还具备杯部，该杯部包围由上述基板保持部保持的上述基板的周围，

配置于上述最外位置的上述喷嘴部接近上述杯部的上部。

9.根据权利要求1至8任一项中所述的基板处理方法，其特征在于，

上述处理液是对设于上述上表面的膜进行蚀刻的蚀刻液，

上述基板处理方法还包括以下工序：

通过获取在互不相同的处理条件下对在上表面设有膜的多个基板进行上述a)及b)工序而得到的上述膜的蚀刻结果、以及进行上述a)及b)工序之前的上述膜的厚度信息，来准备示出上述多个基板中的上述膜的厚度信息、上述处理条件以及上述蚀刻结果的教学数据的工序；以及

通过使用了上述教学数据的学习来构建判定部的工序。