[发明专利]基于环形振荡器的位单元延迟监测器在审

专利信息
申请号: 201980073165.2 申请日: 2019-11-06
公开(公告)号: CN112970197A 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: R·赫伯霍兹;G·M·拉蒂摩尔;A·切布拉 申请(专利权)人: Arm有限公司
主分类号: H03K3/03 分类号: H03K3/03;G11C29/50
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 环形 振荡器 单元 延迟 监测器
【权利要求书】:

1.一种集成电路,包括:

位单元行,所述位单元行串联链接在一起以作为环形振荡器操作,其中所述位单元行中的每个位单元具有独立于附加晶体管的多个晶体管以形成所述环形振荡器,并且其中所述位单元行中的每个位单元的所述多个晶体管被布置成用作反相器。

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述位单元行中的每个位单元是指标准位单元,并且其中每个位单元的所述多个晶体管用预定数量的晶体管来实现。

3.根据权利要求1所述的集成电路,其中每个位单元的所述多个晶体管中的第一数量的晶体管被布置成用作所述反相器,并且其中所述多个晶体管中的第二数量的晶体管被禁用,并且其中所述多个晶体管中的第三数量的晶体管被旁路。

4.根据权利要求3所述的集成电路,其中每个位单元的所述多个晶体管中的所述第一数量的晶体管和所述第二数量的晶体管被布置为背对背反相器,其中所述背对背反相器中的一个反相器被禁用,以便禁用每个位单元的锁存功能。

5.根据权利要求1所述的集成电路,其中每个位单元的所述多个晶体管的有效电气特性保持不变,并且其中所述有效电气特性保持所述多个晶体管中的每个晶体管的强度不变。

6.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述环形振荡器被配置为通过修改所述位单元行中的每个位单元内的导电连接来检测所述位单元行的延迟特性。

7.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述位单元行形成奇数个反相级的一部分,以形成所述环形振荡器,其中最后反相级的输出耦接到第一反相级的输入,以便使所述位单元行作为所述环形振荡器操作。

8.根据权利要求1所述的集成电路,其中被布置成作为所述反相器操作的所述位单元行中的每个位单元具有耦接到位线的输入以及耦接到与所述位线互补的另一个位线的输出。

9.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述位单元行中的每个位单元的所述多个晶体管包括第一对晶体管和第二对晶体管,并且其中所述第一对晶体管通过与电压源和接地断开而被禁用以便不可操作,并且其中所述第二对晶体管适于作为所述反相器操作。

10.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述位单元行中的每个位单元的所述多个晶体管包括第一对晶体管和第二对晶体管,并且其中通过使所述第一对晶体管的输出节点从第二对晶体管的栅极切断来禁用所述第一对晶体管以便不可操作,并且其中所述第二对晶体管适于作为所述反相器操作。

11.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述位单元行中的每个位单元的所述多个晶体管包括一个或多个传输栅极晶体管,所述一个或多个传输栅极晶体管被旁路以便不可作为传输栅极操作,并且其中通过使所述一个或多个传输栅极晶体管的源极端子和漏极端子短路来使所述一个或多个传输栅极晶体管被旁路。

12.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述位单元行包括并联耦接的多个位单元行。

13.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述位单元行中的每个位单元利用静态随机存取存储器(SRAM)位单元来实现。

14.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述位单元行包括第一位单元行,并且其中所述集成电路还包括与所述第一位单元行并联耦接的第二位单元行,并且其中所述第二位单元行中的每个位单元被布置成为所述第一位单元行中的每个对应位单元提供下拉电路。

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