[发明专利]激光加工装置有效
申请号: | 201980071541.4 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN112955279B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 坂本刚志;奥间惇治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/53;B23K26/08 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 | ||
本发明提供一种激光加工装置,其具备:支撑部;照射第1激光的第1激光加工头;照射第2激光的第2激光加工头;以第1激光的第1聚光点沿着铅直方向移动的方式使支撑部及第1激光加工头的至少一方移动的第1铅直移动机构;以第2激光的第2聚光点沿着铅直方向移动的方式使支撑部及第2激光加工头的至少一方移动的第2铅直移动机构;以第1聚光点沿着水平方向移动的方式使支撑部及第1激光加工头的至少一方移动的第1水平移动机构;以第2聚光点沿着水平方向移动的方式使支撑部及第2激光加工头的至少一方移动的第2水平移动机构;以及控制支撑部的旋转、来自第1及第2激光加工头的第1及第2激光的照射、以及第1及第2聚光点的移动的控制部。
技术领域
本发明的一个方面涉及激光加工装置。
背景技术
在专利文献1,记载有激光加工装置,其具备:保持工件的保持机构、对保持机构保持的工件照射激光的激光照射机构。专利文献1所记载的激光加工装置是使具有聚光透镜的激光照射机构对基台固定,通过保持机构实施沿着与聚光透镜的光轴垂直的方向的工件的移动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5456510号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
近年来,从质量提升及成本降低的观点来看,要求在以上述那样的激光加工装置有效率地进行对象物的一部分的剥离及不需要部分的除去等的各种加工。
本发明的一个方面是以提供激光加工装置为技术问题,其能够对于对象物有效率地进行各种加工。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的一个方面的激光加工装置,具备:支撑部,其载置有对象物,且能够以沿着铅直方向的轴为中心旋转;第1激光加工头,其对载置于支撑部的对象物照射第1激光,在该对象物的内部形成第1改质区域;第2激光加工头,其对载置于支撑部的对象物照射第2激光,在该对象物的内部形成第2改质区域;第1铅直移动机构,其以作为第1激光的聚光点的第1聚光点沿着铅直方向移动的方式使支撑部及第1激光加工头的至少一方移动;第2铅直移动机构,其以作为第2激光的聚光点的第2聚光点沿着铅直方向移动的方式使支撑部及第2激光加工头的至少一方移动;第1水平移动机构,其以第1聚光点沿着水平方向移动的方式使支撑部及第1激光加工头的至少一方移动;第2水平移动机构,其以第2聚光点沿着水平方向移动的方式使支撑部及第2激光加工头的至少一方移动;以及控制部,其控制支撑部的旋转、来自第1及第2激光加工头的第1及第2激光的照射、以及第1及第2聚光点的移动。
该激光加工装置,在对于对象物进行各种加工时,增加可同时甚至并列地形成的改质区域,而能够实现缩短时程。可对于对象物有效率地进行各种加工。
在本发明的一个方面的激光加工装置,也可以是:控制部是通过一边使支撑部旋转,一边从第1及第2激光加工头分别照射第1及第2激光,并控制第1及第2聚光点各自的水平方向的移动,从而实行在对象物的内部沿着虚拟面形成第1及第2改质区域的第1剥离处理。从而,可使用第1及第2激光加工头有效率地进行剥离加工。
本发明的一个方面的激光加工装置中,也可以是:在第1剥离处理,通过一边使支撑部旋转,一边使第1及第2聚光点各自以互相接近的方式向水平方向移动,从而形成以支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状的第1改质区域,并形成以支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状且不与第1改质区域重叠的第2改质区域。从而,能够具体地实现有效率的剥离加工。
本发明的一个方面的激光加工装置中,也可以是:在第1剥离处理,通过一边使支撑部旋转,一边使第1及第2聚光点各自以互相分离的方式向水平方向移动,从而形成以支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状的第1改质区域,并形成以支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状且不与第1改质区域重叠的第2改质区域。从而,能够具体地实现有效率的剥离加工。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造