[发明专利]激光加工装置有效
申请号: | 201980071541.4 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN112955279B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 坂本刚志;奥间惇治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/53;B23K26/08 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 | ||
1.一种激光加工装置,其中,
具备:
支撑部,其载置有对象物,且能够以沿着铅直方向的轴为中心旋转;
第1激光加工头,其对载置于所述支撑部的所述对象物照射第1激光,在该对象物的内部形成第1改质区域;
第2激光加工头,其对载置于所述支撑部的所述对象物照射第2激光,在该对象物的内部形成第2改质区域;
第1铅直移动机构,其以作为所述第1激光的聚光点的第1聚光点沿着所述铅直方向移动的方式使所述支撑部及所述第1激光加工头的至少一方移动;
第2铅直移动机构,其以作为所述第2激光的聚光点的第2聚光点沿着所述铅直方向移动的方式使所述支撑部及所述第2激光加工头的至少一方移动;
第1水平移动机构,其以所述第1聚光点沿着水平方向移动的方式使所述支撑部及所述第1激光加工头的至少一方移动;
第2水平移动机构,其以所述第2聚光点沿着水平方向移动的方式使所述支撑部及所述第2激光加工头的至少一方移动;以及
控制部,其控制所述支撑部的旋转、来自所述第1及第2激光加工头的所述第1及第2激光的照射、以及所述第1及第2聚光点的移动。
2.如权利要求1所述的激光加工装置,其中,
所述控制部是通过一边使所述支撑部旋转,一边从所述第1及第2激光加工头分别照射所述第1及第2激光,并控制所述第1及第2聚光点各自的水平方向的移动,从而实行在所述对象物的内部沿着虚拟面形成所述第1及第2改质区域的第1剥离处理。
3.如权利要求2所述的激光加工装置,其中,
在所述第1剥离处理,
通过一边使所述支撑部旋转,一边使所述第1及第2聚光点各自以互相接近的方式向水平方向移动,从而形成以所述支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状的所述第1改质区域,并形成以所述支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状且不与所述第1改质区域重叠的所述第2改质区域。
4.如权利要求2所述的激光加工装置,其中,
在所述第1剥离处理,
通过一边使所述支撑部旋转,一边使所述第1及第2聚光点各自以互相分离的方式向水平方向移动,从而形成以所述支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状的所述第1改质区域,并形成以所述支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状且不与所述第1改质区域重叠的所述第2改质区域。
5.如权利要求2~4中任一项所述的激光加工装置,其中,
在所述第1剥离处理,
通过一边使所述支撑部旋转,一边使所述第1及第2聚光点各自向水平方向移动,从而形成以所述支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状的所述第1改质区域,并形成以所述支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状且与所述第1改质区域连续衔接的所述第2改质区域。
6.如权利要求2所述的激光加工装置,其中,
在所述第1剥离处理,
通过一边使所述支撑部旋转,一边使所述第1聚光点以向水平方向的一个方向及另一个方向往复的方式反复移动,从而沿着所述支撑部的旋转方向形成波状地延伸的所述第1改质区域,
通过一边使所述支撑部旋转,一边使所述第2聚光点以向水平方向的一个方向移动,从而形成以所述支撑部的旋转轴的位置为中心的漩涡状且与所述第1改质区域交叉的所述第2改质区域。
7.如权利要求2~6中任一项所述的激光加工装置,其中,
所述控制部以所述第1及第2改质区域所包含的多个改质点的间距成为恒定的方式,控制所述支撑部的旋转、来自所述第1及第2激光加工头的所述第1及第2激光的照射、以及所述第1及第2聚光点的移动的至少任一者。
8.如权利要求7所述的激光加工装置,其中,
在所述第1剥离处理,
一边使从所述支撑部的旋转轴到所述第1聚光点之间与从所述支撑部的旋转轴到所述第2聚光点之间维持成等距离,一边使所述第1及第2聚光点各自向水平方向移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造