[发明专利]固体摄像装置在审
| 申请号: | 201980071528.9 | 申请日: | 2019-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN113169195A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 泷口亮;河野真;太田庆一;高哲也 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
固体摄像装置(1)具备:半导体基板(20),其具有设置有多个光感应区域(3)的主面(20a);及绝缘膜(30),其设置于半导体基板(20)的主面(20a);在将半导体基板(20)的主面(20a)设为基准面(K)的情况下,自基准面(K)起的绝缘膜(30)的厚度(T)为0.5μm以上,绝缘膜(30)中的与主面相反侧的面(主面(30b))为具有平坦性的面,在光感应区域(3)中,在半导体基板(20)的主面(20a)设置有自基准面(K)起的深度互不相同的多种底面(R)。
技术领域
本发明涉及一种固体摄像装置。
背景技术
在构成CMOS等影像传感器的固体摄像装置中,有对包含紫外区域至近红外区域的宽的波长区域具有灵敏度的装置。对紫外区域具有灵敏度的固体摄像装置中,为了抑制紫外光所引起的元件劣化,在光感应区域形成有BPSG(Boro-phospho silicate glass(硼磷硅酸盐玻璃))膜等绝缘膜作为保护膜。为了使绝缘膜充分发挥作为保护膜的功能,需要例如1μm左右的厚度。在该情况下,认为在绝缘膜的上表面与半导体基板的主面之间产生入射光的干涉,使分光灵敏度相对于入射光的波长周期性地偏差。为了抑制这样的分光灵敏度的偏差,例如在专利文献1所记载的固体摄像装置中,在设置于半导体基板的主面的光感应区域中,将该主面形成为凹形状与凸形状连续的波型状且将绝缘膜的上表面设为平坦的面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-3140号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在上述的现有的固体摄像装置中,绝缘膜的膜厚对应于半导体基板的主面的凹凸形状而变化。由此,抑制绝缘膜全体中的膜厚变化的影响,特别是可谋求紫外区域中的灵敏度偏差的降低及灵敏度的稳定化。然而,在将绝缘膜作为保护膜形成得比较厚的固体摄像装置中,为了降低包含紫外区域至近红外区域的宽的波长区域的灵敏度偏差,需要花费更多工夫。
本发明为了解决上述问题而完成,其目的在于,提供一种可降低包含紫外区域至近红外区域的宽的波长区域内的灵敏度偏差的固体摄像装置。
解决问题的技术手段
本发明的一方面的固体摄像装置,具备:半导体基板,其具有设置有多个光感应区域的主面;及绝缘膜,其设置于半导体基板的主面;在将半导体基板的主面设为基准面的情况下,自基准面起的绝缘膜的厚度为0.5μm以上,绝缘膜中的与主面相反侧的面为具有平坦性的面,光感应区域中,在半导体基板的主面设置有自基准面起的深度互不相同的多种底面。
在该固体摄像装置中,自基准面起的绝缘膜的厚度为0.5μm以上。可通过设置足够厚的绝缘膜,而使该绝缘膜作为针对紫外光的保护膜充分地发挥功能。另外,在该固体摄像装置中,绝缘膜中的与主面相反侧的面为具有平坦性的面,并将自基准面起的深度互不相同的多种底面设置于半导体基板的主面。由此,在入射光入射至光感应区域的情况下,在绝缘膜中的与主面相反侧的面、与半导体基板的主面中的各底面之间产生光路长度互不相同的多个干涉。因此,可使分光灵敏度相对于入射光的波长的偏差的周期彼此相互抵消而充分降低包含紫外区域至近红外区域的宽的波长区域内的灵敏度偏差。
另外,在多种底面中,自基准面起的深度相对浅的底面、及自基准面起的深度相对深的底面也可交替地相邻。在该情况下,与底面的深度阶梯状地变化的情况相比,可降低绝缘膜对半导体基板的主面的形状追随性。因此,可充分地提高绝缘膜中的与主面相反侧的面的平坦性。
另外,固体摄像装置也可具有划定多种底面的各个的多种凹部,在俯视主面时,在第1方向上,深度不同的凹部连续,在正交于第1方向的第2方向上,深度相同的凹部彼此分开地排列。在该情况下,可通过第1方向上连续的各凹部有效地抵消分光灵敏度相对于入射光的波长的偏差的周期。另外,由于基准面位于在第2方向上排列的凹部间,因而也可充分保证绝缘膜中的与主面相反侧的面的平坦性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





