[发明专利]固体摄像装置在审
| 申请号: | 201980071528.9 | 申请日: | 2019-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN113169195A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 泷口亮;河野真;太田庆一;高哲也 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,其中,
具备:
半导体基板,其具有设置有多个光感应区域的主面;及
绝缘膜,其设置于所述半导体基板的所述主面,
在将所述半导体基板的所述主面设为基准面的情况下,自所述基准面起的所述绝缘膜的厚度为0.5μm以上,
所述绝缘膜中的与所述主面相反侧的面为具有平坦性的面,
在所述光感应区域中,在所述半导体基板的所述主面,设置有自所述基准面起的深度互不相同的多种底面。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
在所述多种底面中,自所述基准面起的深度相对浅的底面、及自所述基准面起的深度相对深的底面交替地相邻。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
具有划定所述多种底面的各个的多种凹部,
在俯视所述主面时,在第1方向上,深度不同的所述凹部连续,在与所述第1方向正交的第2方向上,深度相同的所述凹部相互分开地排列。
4.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
具有划定所述多种底面的各个的单一的凹部,
在俯视所述主面时,在第1方向上,深度不同的所述底面连续,在与所述第1方向正交的第2方向上,深度相同的所述底面连续。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
具有划定所述多种底面的各个的多种凹部,
在俯视所述主面时,在第1方向上,深度不同的所述凹部相互分开地排列,在与所述第1方向正交的第2方向上,深度相同的所述凹部相互分开地排列。
6.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
具有划定所述多种底面的各个的多种凹部,
在俯视所述主面时,在第1方向上,各凹部分别延伸,在与所述第1方向正交的第2方向上,深度不同的凹部相互分开地排列。
7.如权利要求6所述的固体摄像装置,其中,
所述凹部中的至少一者具有划定所述多种底面的2种以上的单一的凹部。
8.如权利要求3~7中任一项所述的固体摄像装置,其中,
所述凹部的开口宽度为所述绝缘膜的厚度的2倍以下。
9.如权利要求3~8中任一项所述的固体摄像装置,其中,
所述凹部的至少一个的开口宽度为所述绝缘膜的厚度以下。
10.如权利要求1~9中任一项所述的固体摄像装置,其中,
所述多种底面为5种以下。
11.如权利要求1~10中任一项所述的固体摄像装置,其中,
所述绝缘膜中的与所述主面相反侧的面的凹凸高度小于所述多种底面中的最大深度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





