[发明专利]基板处理装置、开闭基板收容容器的盖的方法在审
申请号: | 201980071030.2 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN112930592A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 远藤荣几;高塚宏行;向山达也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 开闭 收容 容器 方法 | ||
基板处理装置具有基板处理部和控制部。基板处理部具有加载埠,该加载埠构成为配置收容有至少一个基板的基板收容容器。基板处理部构成为从配置于加载埠的基板收容容器取出基板,并且对该基板实施一系列的处理。控制部构成为控制配置于加载埠的基板收容容器的盖的开闭。在将基板收容容器配置于加载埠后,控制部控制为打开盖。在基板处理部发生了异常状态并经过了预先决定的时间、并且在从基板收容容器取出的基板中没有能够回收至所述基板收容容器中的基板的情况下,控制部控制为关闭盖。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、开闭基板收容容器的盖的方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种基板收容容器的吹扫方法,该方法在持续地向基板收容容器内供给干燥气体的状态下打开所述基板收容容器的盖,在所述基板收容容器内的基板的处理结束后关闭盖,并且停止供给所述干燥气体。根据专利文献1所记载的基板收容容器的吹扫方法,通过将基板收容容器内保持为低湿度的状态来防止在基板收容容器内生成SiO2、氢氟酸,由此能够将基板收容容器内的基板维持在良好的状态。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-179287号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术抑制微粒附着于在基板收容容器内处于待机状态的基板。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式具有:基板处理部,其具有加载埠,该加载埠构成为配置收容有至少一个基板的基板收容容器,所述基板处理部构成为从配置于所述加载埠的所述基板收容容器取出基板,并且对该基板实施一系列的处理;以及控制部,其构成为控制配置于所述加载埠的所述基板收容容器的盖的开闭,在将所述基板收容容器配置于所述加载埠后,所述控制部控制为打开所述盖,在所述基板处理部发生了异常状态并经过了预先决定的时间、并且从所述基板收容容器取出来的基板中没有能够回收至所述基板收容容器的基板的情况下,所述控制部控制为关闭所述盖。
发明的效果
根据本公开,能够抑制微粒附着于在基板收容容器内处于待机状态的基板。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的晶圆处理装置的结构的一例的俯视图。
图2是表示本实施方式所涉及的前开式晶圆传送盒的结构的一例的侧视图。
图3是表示本实施方式所涉及的晶圆处理的一例的流程图。
图4是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理的处理路径的说明图。
图5是按照处理制程表示出晶圆处理的一系列的流程的说明图。
图6是按照处理制程表示出晶圆处理的一系列的流程的说明图。
图7是按照处理制程表示出晶圆处理的一系列的流程的说明图。
图8是按照处理制程表示出晶圆处理的一系列的流程的说明图。
图9是按照处理制程表示出晶圆处理的一系列的流程的说明图。
图10是按照处理制程表示出晶圆处理的一系列的流程的说明图。
图11是按照处理制程表示出晶圆处理的一系列的流程的说明图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造