[发明专利]摄像元件和摄像装置在审
申请号: | 201980069969.5 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN112913023A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 堀清隆;茅野大祐 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/00;H04N5/335;H04N5/357 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 装置 | ||
本发明防止设置有电磁屏蔽件的摄像元件中的短路。根据本发明的摄像元件设置有电磁屏蔽件和粘合剂。电磁屏蔽件布置在配线与封装体中的摄像芯片之间,所述配线设置在所述封装体内部,同时所述封装体具有所述摄像芯片被安装在其中的凹部。所述粘合剂用于安装所述摄像芯片。此外,所述粘合剂被布置为覆盖所述电磁屏蔽件。
技术领域
本公开涉及摄像元件和摄像装置。更具体地,本公开涉及其中摄像芯片安装在封装体内的摄像元件以及包含该摄像元件的摄像装置。
背景技术
通常,拍摄对象并产生图像数据的诸如数码相机、数码摄像机(例如,相机一体型记录器)以及监视摄像机等的摄像装置已经广泛普及。此外,作为设置在这些摄像装置中的摄像元件,例如,存在其中在安装有摄像芯片的封装体内部设置配线的摄像元件。但是,近年来,由于增加了用于流过大电流的规格,因此重要的是防止由于来自设置在封装体内部的配线的磁场线的影响而导致摄像元件的特性劣化。
因此,例如,已经提出了一种摄像元件,其中,在设置于封装体内部的配线与容纳在封装体的凹部中的摄像芯片之间布置有屏蔽件,该屏蔽件用于防止在配线中产生的磁场线到达摄像芯片(例如,参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1:WO 2017/081840 A
发明内容
技术问题
在上述传统技术中,能够防止在设置在封装体内部的配线中生成的磁场线到达摄像芯片。这里,在封装体的凹部中可以设置有将设置在封装体内部的配线电连接至摄像芯片的接合配线或内部引线等。在这种情况下,由于上述屏蔽件是磁性材料或导体,因此重要的是防止屏蔽件与封装体的凹部中的内部引线等之间的短路。
鉴于上述问题做出了本发明,并且本发明的目的是防止布置有屏蔽件的摄像元件中的短路。
技术问题的解决方案
本公开的第一方面是一种摄像元件,其包括:电磁屏蔽件,在内部具有配线并且设置有用于安装摄像芯片的凹部的封装体中,所述电磁屏蔽件被布置在所述配线和所述摄像芯片之间;和粘合剂,其用于安装所述摄像芯片,所述粘合剂被布置为覆盖所述电磁屏蔽件。
此外,在第一方面中,所述粘合剂可以被布置为完全覆盖所述电磁屏蔽件。
此外,在第一方面中,所述粘合剂可以被布置为完全覆盖所述电磁屏蔽件的外表面。
此外,在第一方面中,所述电磁屏蔽件可以通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜形成。
此外,在第一方面中,所述粘合剂可以被布置为完全覆盖暴露在电磁屏蔽件的外表面上的所述金属膜。
此外,在第一方面中,在俯视图中所述摄像芯片可以具有大致矩形形状,在俯视图中所述电磁屏蔽件可以具有大致矩形形状,在俯视图中所述粘合剂可以被布置为口字型形状,以完全覆盖所述电磁屏蔽件的外表面,并且所述摄像芯片可以安装在以所述口字型形状布置的所述粘合剂的上侧。
此外,在第一方面中,所述电磁屏蔽件可以是通过在俯视图中成为大致矩形形状的部分处将粘合膜层叠在金属膜的两个表面上而形成的,并且在与所述大致矩形形状的一侧相对应的部分处设置有仅由粘合膜形成的涂覆端部,并且所述粘合剂被布置为完全覆盖暴露在所述电磁屏蔽件的外表面上的所述金属膜。
此外,在第一方面中,在俯视图中所述摄像芯片可以具有大致矩形形状,在俯视图中所述粘合剂可以被布置为没有对应于所述涂覆端部的部分的大致口字型形状,并且所述摄像芯片可以安装在以所述大致口字型形状布置的所述粘合剂的上侧。
此外,在第一方面中,在俯视图中所述电磁屏蔽件的尺寸可以小于所述摄像芯片的尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的