[发明专利]用于处理腔室的射频滤波器系统

说明书

一种用于基板处理腔室的射频(RF)滤波器系统，包含耦合至处理腔室的第一元件的第一RF滤波器，及耦合至处理腔室的第一元件的第二RF滤波器。RF滤波器的各者包含第一滤波器级，配置成拒绝第一频率；第二滤波器级，耦合至第一滤波器级且配置成拒绝第二频率；及第三滤波器级，耦合至第二滤波器级且配置成拒绝第一频率。再者，第一滤波器级包含第一电感器及第一电容，第二滤波器级包含第二电感器及第二电容，第三滤波器级包含第三电感器及第三电容。

背景

技术领域

本文描述的实施例总体上涉及用于射频的滤波器系统。

背景技术

在半导体工业中，器件通过数个制造工艺(诸如，蚀刻及沉积)制成。一些制造工艺包括在处理腔室内产生等离子体。等离子体通过将射频(RF)信号驱动至处理腔室的一个或多个电极而产生。然而，在处理期间，RF泄漏可损伤处理腔室的一个或多个元件。具体而言，泄漏导致RF功率传送至耦合至处理腔室的连接线路，RF功率可导致连接线路的过度加热，造成连接线路的失效。因此，可能需要关闭处理腔室，以替换连接线路。再者，RF泄漏可触发处理腔室的发射警报，造成处理腔室关闭。关闭处理腔室使得处理腔室脱机，降低处理腔室的生产量，且增加相对应半导体器件的生产成本。

因此，需要一种改良的RF滤波器，能够减轻耦合至处理腔室的部件中的RF泄漏。

发明内容

在一个示例实施例中，一种用于基板处理腔室的射频(RF)滤波器系统包含：第一RF滤波器，配置成耦合至处理腔室的第一元件；及第二RF滤波器，配置成耦合至处理腔室的第一元件。第一RF滤波器包含：第一滤波器级，配置成拒绝第一频率；第二滤波器级，耦合至第一滤波器级且配置成拒绝第二频率；及第三滤波器级，耦合至第二滤波器级且配置成拒绝第一频率。第一滤波器级包含第一电感器及第一电容，第二滤波器级包含第二电感器及第二电容，第三滤波器级包含第三电感器及第三电容。第二RF滤波器包含：第四滤波器级，配置成拒绝第一频率；第五滤波器级，耦合至第四滤波器级且配置成拒绝第二频率；及第六滤波器级，耦合至第五滤波器级且配置成拒绝第一频率。第四滤波器级包含第四电感器及第四电容，第五滤波器级包含第五电感器及第五电容，且第六滤波器级包含第六电感器及第六电容。

在一个示例实施例中，一种基板处理腔室包含静电夹盘组件，包含夹持主体，包含电极及一个或多个加热元件，高电压电源供应器，交流(AC)电源供应器，及RF滤波器系统。RF滤波器系统包含：第一RF滤波器，耦合至电极及高电压电源供应器；及第二RF滤波器，耦合至一个或多个加热元件的第一加热元件及AC电源供应器。第一RF滤波器包含：第一滤波器级，配置成拒绝第一频率；第二滤波器级，耦合至第一滤波器级且配置成拒绝第二频率；及第三滤波器级，耦合至第二滤波器级且配置成拒绝第一频率。第一滤波器级包含第一电感器及第一电容，第二滤波器级包含第二电感器及第二电容，且第三滤波器级包含第三电感器及第三电容。第二RF滤波器包含：第四滤波器级，配置成拒绝第一频率；第五滤波器级，耦合至第四滤波器级且配置成拒绝第二频率；及第六滤波器级，耦合至第五滤波器级且配置成拒绝第一频率。第四滤波器级包含第四电感器及第四电容，第五滤波器级包含第五电感器及第五电容，且第六滤波器级包含第六电感器及第六电容。

在一个示例实施例中，一种RF滤波器，包含：第一滤波器级，配置成拒绝第一频率；第二滤波器级，耦合至第一滤波器级且配置成拒绝第二频率；及第三滤波器级，耦合至第二滤波器级且配置成拒绝第一频率。第一滤波器级包含第一电感器及第一电容，第二滤波器级包含第二电感器及第二电容，且第三滤波器级包含第三电感器及第三电容。

附图说明

为了能够详细理解本公开的上文记载的特征所用方式，上文简要概述的本公开案的更具体说明可通过参考实施例而获得，一些实施例图示于所附附图中。然而，应注意所附附图仅图示本公开案的典型实施例，且因此不应被认为对其范围的限制，因为本公开认可其他均等效果的实施例。

图1是根据一个或多个实施例示出处理腔室的剖面侧视图。