[发明专利]表面覆盖荧光体粒子、复合体和发光装置

说明书

本发明的表面覆盖荧光体粒子具备：由氮氧化物荧光体或氮化物荧光体构成的荧光体粒子，以及设置于该荧光体粒子的表面并由包含选自铝、钛、锆、钇和铪中的1种以上元素的金属氢氧化物或金属氧化物构成的覆盖层。上述表面覆盖荧光体粒子的以下定义的热水提取导电指数ΔΩ为2.0mS/m以下。(热水提取导电指数的计算方法)(1)测定25℃的离子交换水的电导率Ω₀。(2)使上述表面覆盖荧光体粒子1g分散于上述离子交换水30ml，放入耐压容器在150℃加热16小时后，追加离子交换水20ml，在冷却到25℃的状态下测定电导率Ω₁。(3)将电导率Ω₁与电导率Ω₀之差ΔΩ(＝电导率Ω₁－电导率Ω₀)作为热水提取导电指数ΔΩ。

技术领域

本发明涉及表面覆盖荧光体粒子、复合体和发光装置。

背景技术

近年，正在进行将LED等半导体发光元件与吸收来自该半导体发光元件的光的一部分并将所吸收的光转换为长波长的波长转换光而发光的荧光体组合而得的发光装置的开发。作为荧光体，晶体结构较稳定的氮化物荧光体、氮氧化物荧光体受到关注。

在专利文献1中公开了为了提高β型塞隆荧光体的亮度，在β塞隆荧光体的表面覆盖金属的氢氧化物。

在专利文献2中，为了抑制包含硫化物的荧光体与空气中的水分反应而水解，作为以往技术，举出了用玻璃材料涂覆荧光体粒子的表面。并且，在指出被膜会影响荧光体粒子对密封材料的分散性的基础上，公开了为了提高荧光体对密封材料的分散性，用包含金属氧化物的涂层材料粒子覆盖荧光体粒子的表面的方法。

在专利文献3中，公开了为了提高设置于荧光体粒子的表面的覆盖层的气体阻隔性，通过将附着于荧光体粒子的表面的玻璃粉利用加热而熔融，从而在荧光体粒子的表面形成连续的皮膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－197635号公报

专利文献2：日本特开2008－291251号公报

专利文献3：日本特开2009－13186号公报

发明内容

发明人等调查了将利用密封材料密封荧光体而得的复合体与LED一起组装而得的发光装置的特性，结果发现随着时间流逝发光强度微小地降低。研究该现象的原因，结果发现介由密封材料而移动的水分接触荧光体，从而荧光体中的金属成分离子化并在水分中溶出，逐渐地荧光体的晶体结构变化，由此荧光体的波长转换效率降低，进而导致发光装置的发光强度的降低。

根据本发明，提供一种表面覆盖荧光体粒子，其具备由氮氧化物荧光体或氮化物荧光体构成的荧光体粒子与设置于上述荧光体粒子的表面并由包含选自铝、钛、锆、钇和铪中的1种以上元素的金属氢氧化物或金属氧化物构成的覆盖层，以下定义的热水提取导电指数ΔΩ为2.0mS/m以下。

(热水提取导电指数的计算方法)

(1)测定25℃的离子交换水的电导率Ω₀。

(2)将上述表面覆盖荧光体粒子1g分散于上述离子交换水30ml，放入耐压容器在150℃加热16小时后，追加离子交换水20ml，在冷却到25℃的状态下测定电导率Ω₁。

(3)将电导率Ω₁与电导率Ω₀之差ΔΩ(＝电导率Ω₁－电导率Ω₀)作为热水提取导电指数ΔΩ。

另外，根据本发明，提供一种复合体，其具备上述表面覆盖荧光体粒子与密封上述表面覆盖荧光体粒子的密封材料。