[发明专利]表面覆盖荧光体粒子、复合体和发光装置在审
| 申请号: | 201980069479.5 | 申请日: | 2019-10-04 |
| 公开(公告)号: | CN112888762A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
| 发明(设计)人: | 近藤良祐;小林庆太;梶山亮尚;渡边真太郎;三谷骏介 | 申请(专利权)人: | 电化株式会社 |
| 主分类号: | C09K11/08 | 分类号: | C09K11/08;C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;李书慧 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 覆盖 荧光 粒子 复合体 发光 装置 | ||
1.一种表面覆盖荧光体粒子,具备:
由氮氧化物荧光体或氮化物荧光体构成的荧光体粒子,和
设置于所述荧光体粒子的表面并由包含选自铝、钛、锆、钇和铪中的1种以上元素的金属氢氧化物或金属氧化物构成的覆盖层;
以下定义的热水提取导电指数ΔΩ为2.0mS/m以下,
热水提取导电指数的计算方法:
(1)测定25℃的离子交换水的电导率Ω0,
(2)使所述表面覆盖荧光体粒子1g分散于所述离子交换水30ml,放入耐压容器在150℃加热16小时后,追加离子交换水20ml,在冷却到25℃的状态下测定电导率Ω1,
(3)将电导率Ω1与电导率Ω0之差ΔΩ(=电导率Ω1-电导率Ω0)作为热水提取导电指数ΔΩ。
2.根据权利要求1所述的表面覆盖荧光体粒子,其中,所述覆盖层是将所述荧光体粒子的表面连续覆盖的连续覆盖层。
3.根据权利要求1或2所述的表面覆盖荧光体粒子,其中,所述覆盖层由氢氧化铝或氧化铝构成。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的表面覆盖荧光体粒子,其中,所述荧光体粒子由含有Eu的α型塞隆荧光体、含有Eu的β型塞隆荧光体、含有Eu的CASN荧光体或含有Eu的SCASN荧光体构成。
5.一种复合体,具备:权利要求1~4中任一项所述的表面覆盖荧光体粒子和密封所述表面覆盖荧光体粒子的密封材料。
6.一种发光装置,具备:
发出激发光的发光元件,和
将所述激发光的波长转换的权利要求5所述的复合体。
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