[发明专利]细胞培养基材、细胞培养基材的制造方法、及球状体的制造方法

权利要求书

1.一种细胞培养基材，其特征在于，其具有基材及覆盖于所述基材上的刺激应答性高分子，所述刺激应答性高分子是具有水不溶性嵌段链段和刺激应答性嵌段链段的嵌段共聚物，所述细胞培养基材具有下述(A)和(B)这2个区域，

(A)具有细胞增殖性和刺激应答性、且面积为0.001～5mm²的岛状的区域，

(B)与所述(A)区域相邻且不具有细胞增殖性的区域。

2.根据权利要求1所述的细胞培养基材，其特征在于，所述(A)区域包含下述(A1)和(A2)这2个区域，所述(B)区域包含下述(B1)和(B2)这2个区域，

(A1)细胞增殖性区域

(A2)刺激应答性区域

(B1)基材粘接区域

(B2)刺激应答性区域。

3.根据权利要求1或2所述的细胞培养基材，其特征在于，所述(A)区域是在细胞增殖性的区域中分散有直径10～500nm的温度应答性区域的区域，或者是在不具有细胞增殖性的温度应答性的区域中分散有直径10～500nm的细胞增殖性的区域的区域。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的细胞培养基材，其特征在于，具有基材、及形成于所述基材上的包含刺激应答性高分子的层，所述基材具有：细胞增殖性的区域及不具有细胞增殖性的区域这2个区域，所述层的平均粗糙度/层厚的比为0.5以上且1以下。

5.根据权利要求4所述的细胞培养基材，其特征在于，所述刺激应答性高分子为具有水不溶性嵌段链段和超过90wt％的刺激应答性嵌段链段的嵌段共聚物。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的细胞培养基材，其特征在于，所述(A)区域为等离子体处理区域。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的细胞培养基材，其特征在于，其用于形成多能干细胞的球状体。

8.权利要求1～7中任一项所述的细胞培养基材的制造方法，其特征在于，其具有以下的工序(1)和(2)：

(1)在不具有细胞增殖性的基材的表面形成具有细胞增殖性、且面积为0.001～5mm²的岛状的区域的工序，

(2)在基材的表面形成基于刺激应答性物质的层的工序。

9.根据权利要求8所述的细胞培养基材的制造方法，其特征在于，在所述工序(1)中，通过等离子体处理、UV处理、电晕处理中的任一种或它们中的多种的组合，在不具有细胞增殖性的基材的表面形成具有细胞增殖性的区域。

10.根据权利要求8或9所述的细胞培养基材的制造方法，其特征在于，所述工序(1)中使用的基材具有细胞粘附性但不具有细胞增殖性。

11.根据权利要求9或10所述的细胞培养基材的制造方法，其特征在于，所述工序(1)具有在基材上贴合表面保护膜的工序，所述表面保护膜具有面积为0.001～10mm²的孔。

12.一种球状体的制造方法，其特征在于，其经过以下的工序(i)～(iii)：

(i)在权利要求1～8中任一项所述的细胞培养基材上接种细胞的工序，

(ii)培养所接种的所述细胞，形成粘附于所述细胞培养基材上的细胞的集落的工序，

(iii)通过施加外部刺激而使所述集落的至少一部分从细胞培养基材剥离，形成细胞的球状体的工序。