[发明专利]含有四烷基氢氧化铵的液体的处理系统和处理方法在审

专利信息
申请号: 201980064496.X 申请日: 2019-09-13
公开(公告)号: CN112789101A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 小野义宣;成田裕树;水间翔平 申请(专利权)人: 奥加诺株式会社
主分类号: B01D61/02 分类号: B01D61/02;B01D61/08;B01D61/58;B01D65/06
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 孙明;王刚
地址: 日本国东京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 含有 烷基 氢氧化铵 液体 处理 系统 方法
【说明书】:

一种含有四烷基氢氧化铵的液体的处理系统,其特征在于,具有:高压型反渗透膜装置,其中,在浓缩侧浓缩包含四烷基氢氧化铵的被处理液;以及管线,其中,将由该反渗透膜装置浓缩后的被处理液供给至进一步进行浓缩的蒸发器。

技术领域

本发明涉及含有四烷基氢氧化铵的液体的处理系统和处理方法。

背景技术

在半导体设备、液晶显示器等半导体装置的制造领域中的光刻工序中,主要使用正型光致抗蚀剂(以下,也简称为抗蚀剂)。该显影液中大多使用包含四烷基氢氧化铵(TAAH)的溶液(TAAH显影液)。作为TAAH,通用四甲基铵(TMAH)。

作为TMAH显影液的使用方法,在基板上涂布抗蚀剂而形成抗蚀膜,隔着光掩模对抗蚀膜进行曝光,由此制作可溶于碱溶液的抗蚀剂部分。利用高碱性TMAH显影液将其溶解除去(显影工序),由此制作抗蚀剂图案。通常在TMAH显影液中使用TMAH浓度为2.38质量%的TMAH水溶液。

在正型抗蚀剂的情况下,通过显影工序,曝光部分在TMAH显影液中的溶解性增大变得可溶而被除去,未曝光部分的抗蚀剂作为抗蚀剂图案而残留。然后,利用纯水等清洗与基板上的抗蚀剂反应的TMAH显影液。其结果,显影废液成为显影液的TMAH、溶解的抗蚀剂和水的混合液。

由于TMAH被指定为有毒物,因此必须进行排水处理,在工厂正在进行其应对。如此,包含TMAH的含光致抗蚀剂的显影废液(以下,也称为显影废液)的处理的需求和处理的重要性增加。在一部分工厂中,使用蒸发器将上述显影废液浓缩而减容化,作为工业废弃物处理或有价物质回收而进行外部交易。另外,通过生物处理、使用电渗析(ED)和树脂(例如离子交换树脂)的处理等,也能回收TMAH并进行再利用。

另外,已知有以下技术:将含TMAH排水加压供给至反渗透(RO)膜而进行浓缩的技术(参照专利文献1);使用纳米过滤(NF)膜对包含光致抗蚀剂和TMAH的光致抗蚀剂显影废液进行处理,由此将光致抗蚀剂在浓缩侧分离,将TMAH在透过侧分离的技术(参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开昭60-118282号公报

专利文献2:日本特开平11-192481号公报

发明内容

(发明要解决的课题)

近年,由于显影工序数的增加、即使仅含有微量的TAAH也需要TAAH排水的处理等,TAAH废液的处理量增加,使用蒸发器的浓缩处理量增加。因此,已建设的蒸发器的浓缩能力不足,要求其对策。

在使用分离膜进行含TAAH的液体这样的显影废液的浓缩的情况下,由抗蚀剂引起的膜的堵塞(堵塞)成为问题。如果产生膜的堵塞,则需要更换为新的膜。

另外,近年,高阻止率的RO膜(高压RO膜等)上市,如果使用该膜,则能够以高阻止率处理TAAH和抗蚀剂。但是,在高压RO膜中,由抗蚀剂对现有的RO(中压~超低压RO)膜以上的膜的堵塞成为问题。

本发明的课题在于,提供即使减少对蒸发器施加的浓缩负荷而使含TAAH的液体增加,也能够不增设蒸发器而进行含TAAH的液体的处理的含TAAH的液体的处理系统以及含TAAH的液体的处理方法。与此同时,本发明的课题在于提供:能够使作为施加于蒸发器的浓缩负荷的减轻单元使用的RO膜从溶解于显影液的抗蚀剂引起的堵塞导致的处理能力的降低状态、不能处理的状态恢复的含TAAH的液体的处理系统和含TAAH的液体的处理方法。

用于解决课题的手段

本发明的上述课题可通过以下方法解决。

[1]一种含有四烷基氢氧化铵的液体的处理系统,其具有:高压型反渗透膜装置,其中,在浓缩侧浓缩包含四烷基氢氧化铵的被处理液;以及管线,其将通过该反渗透膜装置浓缩的被处理液供给至进一步进行浓缩的蒸发器。

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