[发明专利]半导体激光装置在审
申请号: | 201980064456.5 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN112805887A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 田尻浩之;酒井贤司;泉和刚 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/02315 | 分类号: | H01S5/02315;H01S5/0232 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 装置 | ||
本发明提供一种半导体激光装置(A1),其包括:半导体激光芯片(2);和支承半导体激光芯片(2)的基座(1),其包含基底(11)和固定于基底(11)的引线(3A、3B、3C)。半导体激光装置(A1)还具有第一金属层(15),其包括:覆盖基底(11)和引线(3A、3B、3C)的第一层(151);设置在第一层(151)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第二层(152);和设置在第二层(152)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第三层(153)。第二层(152)的晶粒比第三层(153)的晶粒小。依据这样的结构,能够抑制腐蚀。
技术领域
本发明涉及半导体激光装置。
背景技术
作为搭载在各种电子设备的光源装置,半导体激光装置被广泛采用。专利文献1公开了现有技术的半导体激光装置的一例。该文献中所公开的半导体激光装置包括基座、半导体激光芯片和罩。所述基座具有:金属制的板状的基底;从该基底向射出方向前方突出的块体;和固定于基座且分别向所述射出方向后方延伸的多个引线。所述半导体激光芯片搭载于所述块体。所述罩覆盖所述块体和所述半导体激光芯片,具有使来自所述半导体激光芯片的光通过的开口。依据这样的结构,当经由所述多个引线供给电力时,来自所述半导体激光芯片的光向所述射出方向前方射出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-31900号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,伴随着上述半导体激光装置的使用,存在由金属形成的基座发生腐蚀的情况。
本发明是基于上述的问题而想出的发明,其目的在于,提供一种能够抑制腐蚀的半导体激光装置。
用于解决问题的技术方案
本发明所提供的半导体激光装置,其包括:半导体激光芯片;和支承所述半导体激光芯片的基座,所述基座包含基底和固定于所述基底的引线,所述半导体激光装置具有第一金属层,所述第一金属层包括:覆盖所述基底和所述引线的第一层;设置在所述第一层与所述基底以及所述引线之间的第二层;和设置在所述第二层与所述基底以及所述引线之间的第三层,所述第二层的晶粒比所述第三层的晶粒小。
发明效果
依据本发明的半导体激光装置,能够抑制腐蚀。
本发明的其他的特征和优点通过参照附图在以下进行的详细的说明能够更加明确。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的立体图。
图2是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的平面图。
图3是沿着图2的III-III线的截面图。
图4是沿着图2的IV-IV线的截面图。
图5是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
图6是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
图7是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
图8是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分放大截面图。
图9是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分放大截面图。
图10是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分放大截面图。
图11是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分放大截面图。
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