[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：

半导体激光芯片；和

支承所述半导体激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引线，

所述半导体激光装置具有第一金属层，所述第一金属层包括：覆盖所述基底和所述引线的第一层；设置在所述第一层与所述基底以及所述引线之间的第二层；和设置在所述第二层与所述基底以及所述引线之间的第三层，

所述第二层的晶粒比所述第三层的晶粒小。

2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二层的厚度比所述第一层的厚度厚。

3.如权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二层的厚度比所述第三层的厚度薄。

4.如权利要求2或3所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一层由Au形成。

5.如权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二层由Pd形成。

6.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第三层由Ni形成。

7.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一层的厚度为0.01μm～0.1μm。

8.如权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二层的厚度为0.05μm～1.0μm。

9.如权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第三层的厚度为2.0μm～5.0μm程度。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述基座包括固定于所述基底且支承所述半导体激光芯片的块体。

11.如权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述基底具有供所述引线插通的贯通孔。

12.如权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于：

具有设置在所述基底与所述引线之间的绝缘部件。

13.如权利要求12所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一金属层形成于避开所述基底与所述绝缘部件之间的区域。

14.如权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一金属层形成于避开所述引线与所述绝缘部件之间的区域。

15.如权利要求12所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一金属层包括：设置在所述引线与所述第三层之间的第四层；和设置在所述引线与所述第四层之间的第五层，

所述第四层的晶粒比所述第五层的晶粒小。

16.如权利要求15所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第四层由Pd形成，

所述第五层由Ni形成。

17.如权利要求16所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第三层与所述基底彼此接触。

18.如权利要求17所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一层、所述第二层和所述第三层形成于避开所述基底与所述绝缘部件之间的区域。

19.如权利要求18所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一层、所述第二层和所述第三层形成于避开所述引线与所述绝缘部件之间的区域。