[发明专利]存储器系统中的温度补偿

说明书

一种存储器系统中的处理装置接收数据存取请求，所述数据存取请求识别包括至少一个存储器装置的至少一部分的所述存储器系统的第一区段中的存储器单元。所述处理装置确定与所述存储器单元相关联的当前温度和所述存储器系统的基线温度之间的温差，且识别特定针对所述存储器系统的所述第一区段的温度补偿值，所述温度补偿值对应于所述温差。所述处理装置基于由所述温度补偿值表示的量调整施加到所述存储器单元的存取控制电压。

技术领域

本公开大体上涉及一种存储器系统，且更确切地说涉及存储器系统中的温度补偿。

背景技术

存储器系统可为存储系统，例如固态驱动器(SSD)，并且可包含存储数据的一或多个存储器组件。举例来说，存储器系统可包含例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置等存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器系统将数据存储在存储器系统的存储器装置处并且检索存储在存储器系统处的数据。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。

图1示出根据本公开的一些实施例包含存储器系统的实例计算环境。

图2示出根据本公开的一些实施例包含每裸片层级上的温度补偿的存储器系统。

图3是根据本公开的一些实施例用以确定区段特定温度补偿值的实例方法的流程图。

图4是根据本公开的一些实施例用以在存储器系统中以每裸片为基础执行温度补偿的实例方法400的流程图。

图5示出根据本公开的一个实施例的存储器单元的层级的电压分布的实例。

图6是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的方面是针对在存储器系统中在特定粒度级别处(例如，在每裸片层级处)提供温度补偿。存储器系统的实例是存储系统，例如固态驱动器(SSD)。在一些实施例中，存储器系统是混合式存储器/存储系统。一般来说，主机系统可利用包含一或多个存储器装置的存储器系统。存储器装置可包含非易失性存储器装置，例如“与非”(NAND)。主机系统可提供数据以存储于存储器系统处并且可请求从存储器系统检索数据。

存储器系统可将数据存储在包含在存储器系统中的存储器装置的存储器单元处。存储器单元中的每一个可存储对应于从主机系统接收的数据的二进制数据的一或多个位。在一个实例中，存储系统的存储器装置可包含单层级单元(SLC)存储器，其中SLC存储器的每一存储器单元可被编程有单个数据位。当将一个数据位存储在SLC存储器中时，存储器单元的可能电压电平的范围划分成两个范围。举例来说，所述两个范围可包含对应于逻辑数据值“1”的第一阈值电压范围和对应于逻辑数据值“0”的第二阈值电压范围。

一些存储系统可包含例如多层级单元(MLC)存储器等较高密度存储器装置，其通过每存储器单元存储2位、每存储器单元存储3位、每存储器单元存储4位或每存储器单元存储更多位来编程。数据可基于总电压范围而存储在MLC存储器处，所述总电压范围划分成存储器单元的某一数目的相异阈值电压范围。每一相异阈值电压范围对应于存储在存储器单元处的数据的预定值。