[发明专利]存储器系统中的温度补偿

权利要求书

1.一种存储器系统，其包括：

至少一个存储器装置；以及

处理装置，其操作性地与所述至少一个存储器装置耦合，所述处理装置进行以下操作：

接收数据存取请求，所述数据存取请求识别包括所述至少一个存储器装置的至少一部分的所述存储器系统的第一区段中的存储器单元；

确定与所述存储器单元相关联的当前温度和所述存储器系统的基线温度之间的温差；

识别特定针对所述存储器系统的所述第一区段的温度补偿值，所述温度补偿值对应于所述温差；以及

基于由所述温度补偿值表示的量调整施加到所述存储器单元的存取控制电压。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器系统的所述第一区段包括在上面制造具有所述存储器单元的所述至少一个存储器装置的半导体裸片。

3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述温度补偿值是基于所述至少一个存储器装置在所述半导体裸片上的制造期间形成的所述半导体裸片的特定特性，且其中与所述存储器单元相关联的所述当前温度包括所述半导体裸片的温度、所述存储器系统的操作温度或环境温度中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器单元包括多层级存储器单元且被配置成存储处于多个电压电平中的一个的电压，所述多个电压电平中的每一个表示不同的逻辑数据值。

5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述数据存取请求包括编程请求。

6.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述数据存取请求包括读取请求，且其中所述处理装置进一步进行以下操作：

测量在将调整了由所述温度补偿值表示的所述量的所述存取控制电压施加到所述存储器单元的控制栅极后流经所述存储器单元的电流的量；

从所述电流量确定所述多个电压电平中的一个；以及

确定对应于所述多个电压电平中的所述一个的逻辑数据值。

7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述处理装置进一步用以确定特定针对所述存储器系统的所述第一区段的所述温度补偿值，其中为了确定所述温度补偿值，所述处理装置进行以下操作：

将处于第一电压电平的数据存储在所述存储器系统的所述第一区段中的所述存储器单元中；

确定与所述存储器单元相关联的所述当前温度和新温度之间的温度改变；

确定所述新温度下来自所述存储器单元的读取电压电平；

确定所述读取电压电平和所述第一电压电平之间的电压差；以及

鉴于所述温度改变基于所述电压差确定所述温度补偿值。

8.一种方法，其包括：

接收数据存取请求，所述数据存取请求识别包括至少一个存储器装置的至少一部分的存储器系统的第一区段中的存储器单元；

确定与所述存储器单元相关联的当前温度和所述存储器系统的基线温度之间的温差；

由处理装置识别特定针对所述存储器系统的所述第一区段的温度补偿值，所述温度补偿值对应于所述温差；以及

基于由所述温度补偿值表示的量调整施加到所述存储器单元的存取控制电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述存储器系统的所述第一区段包括在上面制造具有所述存储器单元的所述至少一个存储器装置的半导体裸片。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述温度补偿值是基于所述至少一个存储器装置在所述半导体裸片上的制造期间形成的所述半导体裸片的特定特性，且其中与所述存储器单元相关联的所述当前温度包括所述半导体裸片的温度、所述存储器系统的操作温度或环境温度中的至少一个。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述存储器单元包括多层级存储器单元且被配置成存储处于多个电压电平中的一个的电压，所述多个电压电平中的每一个表示不同的逻辑数据值。