[发明专利]半导体激光器

说明书

本发明提供了一种半导体激光器(20)，其具有：边缘发射的激光二极管(21)，所述激光二极管具有用于产生激光辐射的有源区以及具有辐射出射区域(23)的刻面(22)；以及至少一个光电二极管(24)，其中，刻面(22)布置在激光二极管(21)的主发射侧处；光电二极管(24)被布置成使得在刻面(22)处射出的激光辐射的至少一部分到达光电二极管(24)；并且激光二极管(21)和光电二极管(24)以非无损可拆卸地彼此连接。

提出一种半导体激光器。

要实现的目的在于：提出一种能够特别安全地运行的半导体激光器。

根据半导体激光器的至少一个实施方式，半导体激光器包括边缘发射的激光二极管，所述激光二极管具有用于产生激光辐射的有源区和具有辐射出射区域的刻面。半导体激光器具有主延伸平面。边缘发射的激光二极管被设计用于：在运行中沿如下方向发射激光辐射，即所述方向例如至少部分平行于半导体激光器的主延伸平面伸展。有源区具有平行于半导体激光器的主延伸平面伸展的主延伸平面。因此，激光二极管尤其不是表面发射器。

激光二极管能够具有基于例如III-V族半导体材料体系的各种半导体材料。

刻面横向于，优选垂直于有源区的主延伸平面定向。此外，刻面横向于，优选垂直于在运行中发射的激光辐射的主传播方向定向。在运行中产生的激光辐射在辐射出射区域中从激光二极管射出。辐射出射区域尤其是刻面的部分区域，进而限制刻面。

根据半导体激光器的至少一个实施方式，半导体激光器包括至少一个光电二极管。光电二极管被设计用于检测电磁辐射。光电二极管能够是检测器。光电二极管能够具有辐射入射侧。光电二极管能够具有例如基于III-V族半导体材料体系的各种半导体材料。

根据半导体激光器的至少一个实施方式，刻面布置在激光二极管的主发射侧处。在运行中由激光二极管发射的激光辐射的大部分在主发射侧处从激光二极管射出。这能够意味着：由激光二极管在运行中发射的激光辐射的至少90％在主发射侧处从激光二极管射出。由激光二极管在运行中发射的激光辐射的分量大于在其他部位处从激光二极管射出的分量，该激光辐射在主发射侧处从激光二极管射出。

根据半导体激光器的至少一个实施方式，光电二极管布置成使得在刻面处射出的激光辐射的至少一部分到达光电二极管。在此，从刻面射出的激光辐射的一部分能够直接或间接到达光电二极管。这意味着：从刻面射出的激光辐射的一部分能够被偏转或反射，以便到达光电二极管。替选地，在刻面处射出的激光辐射的至少一部分能够直接射到光电二极管上。光电二极管能够布置在激光二极管的朝向刻面的一侧处。

光电二极管能够构成用于：检测由激光二极管发射的激光辐射。这能够意味着：光电二极管的吸收在如下波长范围中具有最大值，在所述波长范围中由激光二极管发射的激光辐射在强度方面具有最大值。

根据半导体激光器的至少一个实施方式，激光二极管和光电二极管以非无损可拆卸的方式彼此连接。这能够意味着：激光二极管和光电二极管以这样的方式彼此连接，使得半导体激光器，尤其是半导体激光器的至少一个部件在拆卸该连接时至少部分地被破坏。还可行的是：在拆卸连接时，激光二极管和/或光电二极管至少部分地破坏。因此，激光二极管和光电二极管能够不可分离地彼此连接。激光二极管和光电二极管在此尤其也能够间接地彼此连接。这能够意味着：激光二极管和光电二极管不直接接触，而是经由连接元件相互连接。

例如，能够通过部件的Au/Sn钎焊连接来提供非无损可拆卸的连接。此外，能够通过例如接合配件玻璃和硅的阳极键合产生非无损可拆卸的连接。此外，利用反应性焊料系统接合部件产生非无损可拆卸的连接，在所述焊料系统中通过金属反应形成金属间化合物。例如，为此使用In/Sn、Sn/Ni和/或Cu/Sn的焊料系统。此外，能够通过Au/Au压缩键合产生非无损可拆卸的连接。例如，能够直接在激光二极管与光电二极管之间形成所提到的连接之一。