[发明专利]半导体激光器在审
| 申请号： | 201980063228.6 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113169515A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 约尔格·埃里希·索尔格;扬·马费尔德;斯特凡·莫尔戈蒂 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 罗小晨;刘继富 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
1.一种半导体激光器(20)，其具有：
-边缘发射的激光二极管(21)，所述边缘发射的激光二极管具有用于产生激光辐射的有源区以及具有辐射出射区域(23)的刻面(22)，以及
-至少一个光电二极管(24)，其中，
-所述刻面(22)布置在所述激光二极管(21)的主发射侧处，
-所述光电二极管(24)被布置成使得在所述刻面(22)处出射的激光辐射的至少一部分到达所述光电二极管(24)，并且
-所述激光二极管(21)和所述光电二极管(24)以非无损可拆卸的方式彼此连接。
2.根据前一项权利要求所述的半导体激光器(20)，其中，所述光电二极管(24)和所述激光二极管(21)布置在共同的载体(25)上。
3.根据前述权利要求之一所述的半导体激光器(20)，其中，所述光电二极管(24)固定在所述半导体激光器(20)的覆盖件(26)处。
4.根据前述权利要求之一所述的半导体激光器(20)，其中，光学元件(27)布置在所述激光二极管(21)与所述光电二极管(24)之间，其中，所述光学元件(27)设计用于：将由所述激光二极管(21)发射的激光辐射的一部分沿所述光电二极管(24)的方向偏转。
5.根据前一项权利要求所述的半导体激光器(20)，其中，所述光学元件(27)布置在用于所述光电二极管(24)和所述激光二极管(21)的载体(25)上。
6.根据权利要求4或5所述的半导体激光器(20)，其中，所述光学元件(27)能够部分地透过由所述激光二极管(21)发射的激光辐射，并且部分地反射由所述二极管(21)发射的激光辐射。
7.根据权利要求4至6之一所述的半导体激光器(20)，其中，所述光学元件(27)设计用于：改变由所述激光二极管(21)发射的激光辐射的至少一部分的主传播方向。
8.根据前述权利要求之一所述的半导体激光器(20)，其中，所述光电二极管(24)能够至少局部地使由所述激光二极管(21)发射的激光辐射透过。
9.根据前述权利要求之一所述的半导体激光器(20)，所述半导体激光器在辐射出射侧处具有覆盖件(26)，所述覆盖件能够部分地透过由所述激光二极管(21)发射的激光辐射并且部分地反射由所述激光二极管(21)发射的激光辐射。
10.根据前述权利要求之一所述的半导体激光器(20)，其中，所述激光二极管(21)和所述光电二极管(24)布置在共同的壳体(28)中。
11.根据前述权利要求之一所述的半导体激光器(20)，其中，所述光电二极管(24)是用于所述激光二极管(21)的载体(25)的组成部分。
12.根据权利要求1至10之一所述的半导体激光器(20)，其中，用于所述激光二极管(21)的载体(25)具有凹部(29)，所述光电二极管(24)布置在所述凹部中。
13.根据前述权利要求之一所述的半导体激光器(20)，其中，所述光电二极管(24)的主延伸平面横向于或垂直于所述刻面(22)的主延伸平面伸展。
14.根据权利要求1至12之一所述的半导体激光器(20)，其中，所述光电二极管(24)的主延伸平面平行于所述刻面(22)的主延伸平面伸展。
15.根据前述权利要求之一所述的半导体激光器(20)，其中，光学滤波器(30)至少局部地布置在所述光电二极管(24)上。
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