[发明专利]固态成像元件、固态成像元件的控制方法以及电子设备在审

专利信息
申请号: 201980061700.2 申请日: 2019-08-28
公开(公告)号: CN112740660A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 小川晃司 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 邓珍;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 元件 控制 方法 以及 电子设备
【说明书】:

固态成像元件(11a)设有:受光元件(402),其根据入射光输出电信号;检测单元(30),其分别检测从所述相应的受光元件输出的电信号的变化量是否超过阈值,并分别输出表示所检测的结果的检测信号;温度测量单元(51),其用于测量温度;和设定单元(52),其基于由所述温度测量单元测量的所述温度来设定阈值。

技术领域

本发明涉及固态成像元件、固态成像元件的控制方法以及电子设备。

背景技术

在使用互补金属氧化物半导体(CMOS)等的固态成像装置中,已经提出了异步型固态成像元件(例如,专利文献1)。在异步型固态成像元件中,针对每个像素设置检测电路,以针对每个像素地址实时检测在像素中接收的光的光量超过阈值作为地址事件。以这种方式针对每个像素检测地址事件的固态成像元件称为动态视觉传感器(DVS)。

与使用现有的与诸如垂直同步信号等同步信号同步地对图像数据进行成像的同步型固态成像元件的情况相比,通过使用诸如该DVS等异步型固态成像元件,可以使响应更快。

引用文献列表

专利文献

专利文献1:日本公开特许公报第2017-535999号

专利文献2:日本专利申请特开第2018-085725号

发明内容

发明要解决的问题

在这种异步型固态成像元件中,各像素中暗电流的存在使各像素的低照度时的I-V转换特性劣化。由于暗电流而引起的I-V转换特性的劣化导致对比灵敏度(即,相对于对比度的灵敏度)降低。

本公开的目的是提供固态成像元件、固态成像元件的控制方法以及电子设备,其中可以改善检测地址事件的固态成像元件的特性。

问题的解决方案

为了解决上述问题,根据本公开一个方面的固态成像元件具有:受光元件,所述受光元件根据入射光输出电信号;检测单元,所述检测单元检测从所述受光元件输出的所述电信号的变化量是否超过阈值,并输出表示所检测的检测结果的检测信号;温度测量单元,所述温度测量单元测量温度;和设定单元,所述设定单元基于由所述温度测量单元测量的所述温度来设定所述阈值。

附图说明

图1是示意性示出了作为使用根据实施方案的固态成像元件的电子设备的成像装置的一个示例的构成的图。

图2是示出了可以适用于实施方案的固态成像元件的一个示例的构成的框图。

图3是示出了可以适用于实施方案的像素阵列单元的一个示例的构成的框图。

图4是更具体地示出了可以适用于实施方案的像素的构成的图。

图5是更具体地示出了可以适用于实施方案的地址事件检测单元的图。

图6是用于说明地址事件检测单元的操作的图。

图7是示出了光电转换元件的输出与电流-电压转换单元的输出之间的关系的示例的图。

图8是示出了根据实施方案的固态成像元件的一个示例的构成的图。

图9A是示出了可以适用于实施方案的光电流测量电路的示例的图。

图9B是示出了可以适用于实施方案的光电流测量电路的示例的图。

图10A是示出了可以适用于实施方案的温度测量电路的示例的图。

图10B是示出了可以适用于实施方案的温度测量电路的示例的图。

图11是示出了根据实施方案的量化器的一个示例的构成的图。

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