[发明专利]用于图案化应用的高密度碳膜

权利要求书

1.一种在基板上形成碳膜的方法，包括：

使含碳氢化合物的气体混合物流入具有定位在静电吸盘上的基板的工艺腔室中，其中所述基板保持在约-10℃至约20℃的温度和约0.5毫托至约10托的腔室压力；以及

通过将第一RF偏压施加至所述静电吸盘来生成等离子体，以在所述基板上沉积含有约60％或更多的杂化sp³原子的类金刚石碳膜，其中所述第一RF偏压是以约1800瓦至约2200瓦的功率和约40MHz至约162MHz的频率提供。

2.如权利要求1所述的方法，其中生成等离子体进一步包括：将第二RF偏压施加至所述静电吸盘。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二RF偏压是以约800瓦至约1200瓦的功率和约350KHz至约13.56MHz的频率提供。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述第一RF偏压是以约2000瓦的功率和约60MHz的频率提供，并且所述第二RF偏压是以约1000瓦的功率和约2MHz的频率提供。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板保持在约10℃的温度。

6.一种在基板上形成碳膜的方法，包括：

使含碳氢化合物的气体混合物流入具有定位在静电吸盘上的基板的工艺腔室中；以及

通过将第一RF偏压施加至所述静电吸盘以及将第二RF偏压施加至设置在所述静电吸盘上方且相对的电极来生成等离子体，以在所述基板上沉积类金刚石碳膜，

其中所述第一RF偏压是以约13.56MHz或更低的频率提供，并且所述第二RF偏压是以约40MHz或更高的频率提供，并且所述基板保持在约-10℃至约20℃的温度和约0.5毫托至约10托的腔室压力。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一RF偏压是以约2MHz的频率和约800瓦至约1200瓦的功率提供。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第二RF偏压是以约60MHz的频率和约1500瓦至约2500瓦的功率提供。

9.如权利要求6所述的方法，其中生成等离子体进一步包括：将第三RF偏压施加至设置在所述静电吸盘上方且相对的电极。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述第三RF偏压是以约10瓦至约3000瓦的功率和从约350KHz至约162MHz的频率提供。

11.一种处理基板的方法，包括：

使含碳氢化合物的气体混合物流入具有定位在静电吸盘上的基板的工艺腔室的处理空间中，其中所述基板保持在约5毫托之间的压力，并且其中所述含碳氢化合物的气体混合物包括乙炔(C₂H₂)；

通过将第一RF偏压施加至所述静电吸盘来在所述基板水平(level)处生成等离子体，以在所述基板上沉积类金刚石碳膜，其中所述第一RF偏压是以约2000瓦的功率和约60MHz的频率提供；

在所述类金刚石碳膜之上形成图案化的光致抗蚀剂层；

以对应于所图案化的光致抗蚀剂层的图案来蚀刻所述类金刚石碳膜；以及

将材料沉积至所述类金刚石碳膜的所蚀刻的部分中。

12.如权利要求11所述的方法，其中生成等离子体进一步包括：将第二RF偏压施加至所述静电吸盘，其中所述第二RF偏压是以约1000瓦的功率和约2MHz的频率提供。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述类金刚石碳膜用作远紫外(“EUV”)光刻工艺中的下层(underlayer)。