[发明专利]基准部过滤自动晶片居中工艺和相关系统在审
| 申请号: | 201980059362.9 | 申请日: | 2019-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN112703590A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
| 发明(设计)人: | 本杰明·W·莫瑞;达蒙·蒂龙·格内蒂 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基准 过滤 自动 晶片 居中 工艺 相关 系统 | ||
1.一种自动晶片居中的方法,其包含:
将晶片定位在机械手的晶片搬运部件上;
操作所述机械手以移动所述晶片搬运部件,使得所述晶片移动经过传感器阵列,所述传感器阵列内的每一个传感器配置为检测所述晶片的边缘何时通过所述传感器并且发出信号;
确定若干(N)个被检测的晶片边缘位置,每一被检测的晶片边缘位置由所述晶片搬运部件的坐标系统中的一组坐标(x,y)限定,当所述晶片移动经过所述传感器阵列时,所述传感器阵列中的任一个传感器在所述一组坐标处检测所述晶片边缘;
针对所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的每一唯一组(N-1)个被检测的晶片边缘位置,确定基本上使性能指数值最小化的估计晶片偏移量,所述估计晶片偏移量被定义为从所述晶片搬运部件的所述坐标系统的中心延伸至所述晶片的估计中心位置的向量,所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的每一唯一组(N-1)个被检测的晶片边缘位置具有对应的估计晶片偏移量和对应的性能指数值;
将最终晶片偏移量识别为对应于具有最小的对应性能指数值的所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的所述唯一组(N-1)个被检测的晶片边缘位置的所述估计晶片偏移量;以及
使用所述最终晶片偏移量以使所述晶片在目标站居中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述传感器阵列包括至少三个传感器。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述传感器阵列包括至少一个传感器,该至少一个传感器定位成当所述晶片移动经过所述传感器阵列时相对于所述晶片的中心的行进方向通过所述晶片的第一半部,且其中所述传感器阵列包括至少一个传感器,该至少一个传感器定位成当所述晶片移动经过所述传感器阵列时相对于所述晶片的中心的所述行进方向通过所述晶片的第二半部。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述传感器阵列中的每一传感器是光束传感器。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述光束传感器被配置为当所述光束传感器的光束被所述晶片打断时传输指示检测到所述晶片边缘的信号,且其中所述光束传感器被配置为当所述光束传感器的被打断光束重新形成时传输指示检测到所述晶片边缘的信号。
6.根据权利要求1所述的方法,其中针对所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的给定唯一组(N-1)个被检测的晶片边缘位置的所述估计晶片偏移量对应于被最佳配合至所述晶片搬运部件的所述坐标系统内的所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的给定唯一组(N-1)个被检测的晶片边缘位置的圆的中心。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述性能指数值被限定为针对所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的给定唯一组(N-1)个被检测的晶片边缘位置的在所述晶片的第i个被检测的晶片边缘位置的所述晶片的估计晶片半径(|Ei|)与已知额定晶片半径之间的差的平方的和,其中最小化的性能指数值和相关联的估计晶片中心对应于被最佳配合至所述晶片搬运部件的所述坐标系统内的所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的给定唯一组(N-1)个被检测的晶片边缘位置的所述圆。
8.根据权利要求1所述的方法,其中具有所述最小的对应性能指数值的所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的所述唯一组(N-1)个检测到的晶片边位置不包括:所述若干(N)个被检测的晶片边缘位置中的在所述晶片的基准部处的一个被检测的晶片边缘位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980059362.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于高功率紫外线检验工具的光衰减装置
- 下一篇:减震装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





