[发明专利]用于半导体封装件的聚酰亚胺膜

说明书

本发明公开用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其不仅能够通过减小基材膜与热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差来防止热塑性聚酰亚胺层的剥离现象，而且由于附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层具有回流工艺温度以下的玻璃转化温度，从而可在完成回流工艺之后容易拆卸热塑性聚酰亚胺层。

技术领域

本发明涉及用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，更加具体地，涉及如下的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其不仅可通过减小基材膜与热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差来防止热塑性聚酰亚胺层的剥离现象，而且由于附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层具有封装工艺温度以下的玻璃转化温度，从而在完成封装工艺后，可容易剥离。

背景技术

聚酰亚胺膜的特性具有优异的机械和热尺寸稳定性以及化学稳定性，因而广泛用于电气、电子材料、宇宙、航空和电子通信领域。这种聚酰亚胺膜由于部件的轻薄且短小而被广泛用作具有微细图案的柔性电路基板的材料，例如，带式自动焊接(TAB，TapeAutomated Bonding)或覆晶薄膜(COF，Chip On Film)等的基膜。

并且，正在开发一种具有如下结构的封装件：仅封装半导体封装件的一面(半导体器件)，并且将暴露于另一面的引线框架用于外部连接。具有这种结构的半导体封装件的优点在于，由于引线框架不从封装树脂突出，因而可以实现轻薄且短小化，但是当封装半导体封装件时，容易发生封装树脂渗透到引线框架背面(backside)的缺陷。

由此，试图尝试通过在封装半导体封装件之前将粘结膜附着于引线框架之后，进行封装工艺，并在封装半导体封装件之后剥离粘结膜，从而防止封装树脂渗透到引线框架背面的问题。

这种粘结膜通常具有基材膜上层叠有附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层的结构。

在此情况下，将粘结膜附着到引线框架的背面后进行的封装工艺在相对高温(例如，200℃以上)下进行，因而在封装工艺中，可能发生如下问题：由于热塑性聚酰亚胺层从基材膜剥离或热塑性聚酰亚胺层变性，因而不容易从引线框架剥离。

发明内容

技术问题

在上述背景技术下，本发明的目的在于，提供用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其通过减小基材膜与层叠在基材膜上的热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差来防止高温下热塑性聚酰亚胺层的剥离现象。

并且，本发明的目的在于，提供用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其中，由于附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层具有封装工艺温度以下的玻璃转化温度，因而在完成封装工艺之后，可容易剥离。

解决问题的手段

为了解决上述技术问题，根据本发明的一方面，提供用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其包括：基材膜；非热塑性聚酰亚胺层，位于上述基材膜上；以及热塑性聚酰亚胺层，位于上述非热塑性聚酰亚胺层上。

其中，非热塑性聚酰亚胺层用作平均线性膨胀系数补偿层，上述平均线性膨胀系数补偿层可通过减小基材膜与热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差来防止热塑性聚酰亚胺层从基材膜剥离。

为了将非热塑性聚酰亚胺层用作基材膜与热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数补偿层，非热塑性聚酰亚胺层与基材膜之间的平均线性膨胀系数之差也应具有较小值，使得其在高温工艺中从基材膜剥离的可能性变小。

为此，优选地，基材膜与非热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数之差为30ppm/K以下。

并且，为了减小热塑性聚酰亚胺层从非热塑性聚酰亚胺层剥离的可能性，优选地，非热塑性聚酰亚胺层与上述热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数之差为30ppm/K以下。

发明的效果