[发明专利]用于半导体封装件的聚酰亚胺膜有效
| 申请号： | 201980058580.0 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112654667B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李启雄;金星洙;朴浩荣;李泰硕 | 申请（专利权）人： | IPI技术株式会社 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08J5/18;C09D179/08;C09D7/61;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 封装 聚酰亚胺 | ||
1.一种用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，包括：
基材膜；
非热塑性聚酰亚胺层，位于上述基材膜上；以及
热塑性聚酰亚胺层，位于上述非热塑性聚酰亚胺层上，
上述基材膜与上述非热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数之差为15ppm/K以下，
上述热塑性聚酰亚胺层包含无机填料，相对于100重量份的上述热塑性聚酰亚胺层的树脂，包含5～20重量份的上述无机填料，
上述非热塑性聚酰亚胺层在25℃温度下对引线框架的粘结力小于10gf/cm，
上述热塑性聚酰亚胺层在25℃温度下对引线框架的粘结力为50gf/cm至200gf/cm；
所述热塑性聚酰亚胺层未完全层叠到所述非热塑性聚酰亚胺层上，以使得部分的所述非热塑性聚酰亚胺层暴露于所述引线框架。
2.根据权利要求1所述的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，上述非热塑性聚酰亚胺层与上述热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数之差为30ppm/K以下。
3.根据权利要求1所述的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，
上述基材膜在20℃至200℃温度下具有20ppm/K以下的平均线性膨胀系数，
上述非热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下具有30ppm/K以下的平均线性膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，上述热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下具有40ppm/K至50ppm/K的平均线性膨胀系数。
5.根据权利要求1所述的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，上述非热塑性聚酰亚胺层具有320℃以上的玻璃转化温度。
6.根据权利要求1所述的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，上述热塑性聚酰亚胺层具有190℃至230℃的玻璃转化温度。
7.根据权利要求1所述的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，与上述非热塑性聚酰亚胺层相接触的上述基材膜的表面经过表面处理，以提高与上述非热塑性聚酰亚胺层之间的粘结力。
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