[发明专利]用于制造玻璃带的装置和方法

说明书

装置可以包括：容纳设备，所述容纳设备包括表面，所述表面限定在所述容纳设备的流动方向上延伸的区域。定位为支撑所述容纳设备的重量的支撑构件可以包括支撑材料，所述支撑材料在1400℃的温度下在从1MPa到5MPa的压力下具有从1x10supgt;‑12/supgt;1/s到1x10supgt;‑14/supgt;1/s的蠕变速率。在一些实施例中，所述支撑材料可以包括陶瓷材料。在一些实施例中，所述支撑材料可以包括碳化硅。在一些实施例中，铂壁可以被隔开，以免物理地接触所述支撑构件的任何部分。在一些实施例中，方法可以包括：使所述区域内的熔融材料在流动方向上流动，同时用所述支撑构件支撑所述容纳设备的重量。

相关申请的交叉引用

本申请依据35U.S.C.§119要求2018年8月10日提交的美国临时专利申请第62/717170号的优先权权益，该申请的内容是本申请的基础并且全文以引用的方式并入本文。

背景技术

已知用形成装置将熔融材料处理成玻璃带。已知操作常规的形成装置来将一定量的熔融材料从形成装置下拉为玻璃带。

发明内容

下文呈现了本公开内容的简化概要，以提供详细描述中所述的一些示例性实施例的基本理解。

本公开内容大体涉及用于制造玻璃带的装置和方法，并且更具体地是涉及用于容纳熔融材料的容纳设备和用来支撑容纳设备的重量的支撑构件，以及用于用容纳设备容纳熔融材料同时由支撑构件支撑容纳设备和容纳设备内的熔融材料的重量的方法。

根据一些实施例，一种装置可以包括导管，该导管包括周边壁，该周边壁限定在导管的流动方向上延伸的区域。导管的周边壁的第一部分可以包括延伸穿过周边壁的外周表面的狭槽。狭槽可以与区域连通。该装置可以进一步包括支撑构件，该支撑构件包括支撑表面，该支撑表面限定接收周边壁的第二部分的区域。支撑构件可以包括支撑材料，该支撑材料在1400℃的温度下在从1MPa到5MPa的压力下包括从1x 10^-121/s到1x 10^-141/s的蠕变速率。该装置可以又进一步包括定位在导管的狭槽下游的形成楔。形成楔可以包括第一楔表面和第二楔表面，该第一楔表面和该第二楔表面在下游方向上收敛以形成该形成楔的根部。

在一个实施例中，支撑材料包括陶瓷材料。

在另一个实施例中，陶瓷材料可以包括碳化硅。

根据其他实施例，一种装置可以包括导管，该导管包括周边壁，该周边壁限定在导管的流动方向上延伸的区域。导管的周边壁的第一部分可以包括延伸穿过周边壁的外周表面的狭槽。狭槽可以与区域连通。该装置可以进一步包括碳化硅支撑构件，该支撑构件包括支撑表面，该支撑表面限定接收周边壁的第二部分的区域。该装置可以又进一步包括定位在导管的狭槽下游的形成楔。形成楔可以包括第一楔表面和第二楔表面，该第一楔表面和该第二楔表面在下游方向上收敛以形成该形成楔的根部。

在一个实施例中，支撑表面可以环绕从周边壁的外周表面的约25％到约60％。

在另一个实施例中，接收周边壁的第二部分的区域的深度沿着狭槽的长度变化。

在另一个实施例中，接收周边壁的第二部分的区域的深度可以在小于在导管的流动方向上测量到的狭槽的长度的约33％的位置处最大。

在另一个实施例中，导管可以包括第一导管，该第一导管在接合点处与第二导管串联连接。接收周边壁的第二部分的区域的深度可以在接合点的侧向位置处比在第一导管的中间侧向位置和第二导管的中间侧向位置处更大。

在另一个实施例中，周边壁的第一部分可以与周边壁的第二部分相对。

在另一个实施例中，狭槽的宽度可以在导管的流动方向上增加。

在另一个实施例中，区域的与导管的流动方向垂直地截取的横截面积可以在导管的流动方向上减少。