[发明专利]用于制造玻璃带的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201980058449.4 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN112654587B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·阿莫索夫;伊利亚·斯维亚托戈罗夫;威廉·安东尼·惠顿 申请(专利权)人: 康宁公司
主分类号: C03B17/06 分类号: C03B17/06
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;吴启超
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 玻璃 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

导管,所述导管包括周边壁,所述周边壁限定在所述导管的流动方向上延伸的区域,所述周边壁的第一部分包括延伸穿过所述周边壁的外周表面的狭槽,其中所述狭槽与所述区域连通;

支撑构件,所述支撑构件包括支撑表面,所述支撑表面限定接收所述周边壁的第二部分的区域,其中所述支撑构件包括支撑材料,所述支撑材料在1400℃的温度下在从1MPa到5MPa的压力下包括从1x 10-12 1/s到1x 10-14 1/s的蠕变速率;和

形成楔,所述形成楔定位在所述导管的所述狭槽下游,所述形成楔包括限定第一楔表面的第一侧壁和限定第二楔表面的第二侧壁,所述第一楔表面和所述第二楔表面在下游方向上收敛以形成所述形成楔的根部;

其中所述支撑构件定位在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间。

2.如权利要求1所述的装置,其中所述支撑材料包括陶瓷材料。

3.如权利要求2所述的装置,其中所述陶瓷材料包括碳化硅。

4.一种装置,包括:

导管,所述导管包括周边壁,所述周边壁限定在所述导管的流动方向上延伸的区域,所述周边壁的第一部分包括延伸穿过所述周边壁的外周表面的狭槽,其中所述狭槽与所述区域连通;

碳化硅支撑构件,所述碳化硅支撑构件包括支撑表面,所述支撑表面限定接收所述周边壁的第二部分的区域;和

形成楔,所述形成楔定位在所述导管的所述狭槽下游,所述形成楔包括限定第一楔表面的第一侧壁和限定第二楔表面的第二侧壁,所述第一楔表面和所述第二楔表面在下游方向上收敛以形成所述形成楔的根部;

其中所述碳化硅支撑构件定位在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间。

5.如权利要求1或4所述的装置,其中所述支撑表面环绕所述周边壁的所述外周表面的25%到60%。

6.如权利要求1或4所述的装置,其中接收所述周边壁的所述第二部分的所述区域的深度沿着所述狭槽的长度变化。

7.如权利要求6所述的装置,其中接收所述周边壁的所述第二部分的所述区域的所述深度在小于在所述导管的所述流动方向上测量到的所述狭槽的所述长度的33%的位置处最大。

8.如权利要求6所述的装置,其中所述导管包括第一导管,所述第一导管在接合点处与第二导管串联连接,其中接收所述周边壁的所述第二部分的所述区域的所述深度在所述接合点的侧向位置处比在所述第一导管的中间侧向位置和所述第二导管的中间侧向位置处更大。

9.如权利要求1或4所述的装置,其中所述周边壁的所述第一部分与所述周边壁的所述第二部分相对。

10.如权利要求1或4所述的装置,其中所述狭槽的宽度在所述导管的所述流动方向上增加。

11.如权利要求1或4所述的装置,其中所述区域的与所述导管的所述流动方向垂直地截取的横截面积在所述导管的所述流动方向上减少。

12.如权利要求1或4所述的装置,其中所述周边壁的所述外周表面沿着与所述导管的所述流动方向垂直地截取的横截面包括圆形形状。

13.如权利要求1或4所述的装置,其中所述导管的所述周边壁的厚度为从3mm到7mm。

14.如权利要求1或4所述的装置,其中所述导管的所述周边壁包括铂。

15.如权利要求1或4所述的装置,其中所述第一侧壁包括铂并且所述第二侧壁包括铂。

16.如权利要求1或4所述的装置,其中所述第一侧壁和所述第二侧壁不物理地接触所述支撑构件的任何部分。

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