[发明专利]自旋电子器件、磁存储器以及电子设备

权利要求书

1.一种自旋电子器件，其中，

该自旋电子器件具有如下的区域：该区域具有载流子迁移率或电导率的梯度，

通过由所述梯度产生的电子的速度场的旋转来生成自旋流。

2.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其中，

该自旋电子器件还具有：

第1导电层；以及

第2导电层，该第2导电层的载流子迁移率或电导率低于所述第1导电层，

所述区域是所述第1导电层与所述第2导电层的边界区域。

3.根据权利要求2所述的自旋电子器件，其中，

该自旋电子器件不具有与所述第1导电层相邻的铁磁性层。

4.根据权利要求2或3所述的自旋电子器件，其中，

所述第2导电层包含构成所述第1导电层的材料的氧化物。

5.根据权利要求4所述的自旋电子器件，其中，

所述第1导电层主要含有铜，所述第2导电层主要含有氧化铜。

6.根据权利要求2或3所述的自旋电子器件，其中，

所述第2导电层由除构成所述第1导电层的材料的氧化物之外的其他材料构成。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的自旋电子器件，其中，

通过由所述电子的速度场的旋转产生的角动量来生成所述自旋流。

8.一种自旋电子器件，其具有：

第1导电层；以及

第2导电层，该第2导电层的载流子迁移率或电导率低于所述第1导电层，

通过由所述第1导电层与所述第2导电层的边界处的载流子迁移率或电导率的变化产生的电子的速度场的旋转来生成自旋流。

9.一种磁存储器，其具有：

第1铁磁性层；

非磁性层，其设置在所述第1铁磁性层上；

第2铁磁性层，其设置在所述非磁性层上；

第1导电层，其设置在所述第2铁磁性层上；以及

第2导电层，其设置在所述第1导电层上，并且所述第2导电层的载流子迁移率或电导率低于所述第1导电层，

所述第1导电层与所述第2导电层的边界区域在层叠方向上具有载流子迁移率或电导率的梯度，

通过由所述梯度产生的电子的速度场的旋转来生成自旋流，使用所述自旋流对所述第2铁磁性层的磁化的方向进行控制，从而存储信息。

10.一种磁存储器，其具有：

第1铁磁性层；

非磁性层，其设置在所述第1铁磁性层上；

第2铁磁性层，其设置在所述非磁性层上；

第1导电层，其设置在所述第2铁磁性层上；以及

第2导电层，其设置在所述第1导电层上，并且所述第2导电层的载流子迁移率或电导率低于所述第1导电层，

通过由所述第1导电层与所述第2导电层的边界处的载流子迁移率或电导率的变化产生的电子的速度场的旋转来生成自旋流，使用所述自旋流对所述第2铁磁性层的磁化的方向进行控制，从而存储信息。

11.一种电子设备，其搭载有一个以上的权利要求9或10所述的磁存储器。