[发明专利]存储存储器单元及偏移存储器单元

说明书

一种实例设备包含感测放大器、经由第一数字线耦合到所述感测放大器的多个存储存储器单元，及经由第二数字线耦合到所述感测放大器的多个偏移存储器单元。所述多个存储存储器单元及所述多个偏移存储器单元可包括存储器单元阵列。所述存储存储器单元及所述偏移存储器单元中的每一者可包含具有特定电容的相应电容器。

技术领域

本公开大体上涉及半导体存储器及方法，并且更具体来说，涉及用于包含存储存储器单元及偏移存储器单元的设备及方法。

背景技术

存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部、半导体、集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要功率来保持其数据，例如主机数据、误差数据等，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及晶闸管随机存取存储器(TRAM)等等。非易失性存储器可通过在未被供电时保存所存储数据来提供永久数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM)，例如自旋力矩转移随机存取存储器(STT RAM)等等。

附图说明

图1是根据本公开的数个实施例的呈包含存储器装置的计算系统形式的设备的框图。

图2是说明根据本公开的数个实施例的感测电路系统的示意图。

图3是说明根据本公开的数个实施例的阈值电压(Vt)补偿(VTC)感测放大器的示意图。

图4是说明根据本公开的数个实施例的偏移消除感测放大器(OCSA)的示意图。

图5是说明根据本公开的数个实施例的存储存储器单元阵列及偏移存储器单元阵列的示意图。

图6是说明根据本公开的数个实施例的存储存储器单元及偏移存储器单元的示意图，其中偏移存储器单元永久地耦合到导电线。

图7是根据本公开的数个实施例的方法的流程图。

图8是根据本公开的数个实施例的方法的流程图。

具体实施方式

本公开包含用于利用存储器单元阵列的存储器单元作为存储存储器单元及偏移存储器单元的设备及方法。感测放大器可耦合到两个导电线。导电线中的一者可为被感测数据值的存储器单元的数字线(例如，作用中数字线)。另一导电线可为参考数字线或偏移消除(OC)数字线。在一些先前方法中，参考数字线或OC数字线为存储器单元不耦合到的导电线。举例来说，专用电压供应器可耦合到参考数字线以提供参考电压，或专用电容器可耦合到OC数字线以用于偏移消除。一些存储器阵列架构包含的每一数字线可具有至少一个存储器单元，使得无数字线可耦合到例如用于参考数字线的专用电压供应器或用于OC数字线的专用电容器。

例如单晶体管单电容器(1T1C)DRAM单元的存储器单元包含至少一个晶体管(例如，存取装置)及至少一个电容器。通常，存储器单元的电容器用于存储数据值，其中由电容器保持的电荷的量(其可读取为电压)对应于数据值。存储器的电容器可用来提供例如OC电容的电容，或提供参考电压，而非用于存储数据值。如本文中所使用，“存储存储器单元”是指用于存储数据值的存储器单元，而“偏移存储器单元”是指用以提供偏移电容及/或参考电压的存储器单元。在每一数字线耦合到至少一个存储器单元的存储器阵列架构中，耦合到数字线中的至少一者的存储器单元可为偏移存储器单元。举例来说，一或多个偏移存储器单元的累积电容可用于OC电容。一或多个偏移存储器单元可电容性地保持参考电压。偏移存储器单元可具有与存储存储器单元相同的结构，使得可能不需要改变存储器单元及/或存储器阵列的制造。