[发明专利]存储存储器单元及偏移存储器单元在审
申请号: | 201980056740.8 | 申请日: | 2019-08-23 |
公开(公告)号: | CN112639974A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | S·J·德尔纳 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/12;G11C8/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 存储器 单元 偏移 | ||
1.一种设备,其包括:
感测放大器;
多个存储存储器单元,其经由第一数字线耦合到所述感测放大器;以及
多个偏移存储器单元,其经由第二数字线耦合到所述感测放大器。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个存储存储器单元及所述多个偏移存储器单元包括存储器单元阵列。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述存储存储器单元及所述偏移存储器单元中的每一者包含具有特定电容的相应电容器。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的设备,其中所述多个偏移存储器单元具有大致等于所述第一数字线的电容的累积电容。
5.根据权利要求1到3中任一项所述的设备,其进一步包括耦合到所述偏移存储器单元中的每一者及所述第二数字线的相应存取装置。
6.根据权利要求5所述的设备,其进一步包括控制器,所述控制器耦合到所述存取装置且经配置以将所述偏移存储器单元中的至少一者选择性地耦合到所述第二数字线。
7.根据权利要求1到3中任一项所述的设备,其进一步包括晶体管,所述晶体管耦合到所述第二数字线及所述感测放大器且经配置以将所述感测放大器耦合到所述第二数字线。
8.根据权利要求1到3中任一项所述的设备,其中所述多个偏移存储器单元永久地耦合到所述第二数字线。
9.根据权利要求1到3中任一项所述的设备,其进一步包括在存储器阵列的边缘处的多个感测放大器,其中:
所述多个感测放大器中的每一感测放大器耦合到与在所述存储器阵列的所述边缘处的所述存储器阵列的区段相关联的相应第三数字线及与在所述存储器阵列的所述边缘处的所述存储器阵列的所述区段相关联的相应第四数字线;
所述相应第三数字线耦合到至少一个存储存储器单元;且
所述相应第四数字线耦合到至少一个偏移存储器单元。
10.一种方法,其包括:
将存储器单元阵列的偏移存储器单元选择性地耦合到耦合到感测放大器的第一导电线;以及
利用所述选择性耦合的存储器单元上的电压使所述感测放大器的电压差偏移。
11.根据权利要求10所述的方法,其中选择性地耦合所述偏移存储器单元包含启用与所述选择性耦合的偏移存储器单元相关联的字线驱动器。
12.根据权利要求10到11中任一项所述的方法,其中选择性地耦合所述偏移存储器单元包含选择性地耦合所述偏移存储器单元,使得所述选择性耦合的偏移存储器单元的所述累积电容大致等于耦合到所述感测放大器的第二导电线的电容。
13.根据权利要求10所述的方法,其中使所述感测放大器的所述电压差偏移包含:
在第一时间启用一对晶体管,以将电压置于所述选择性耦合的偏移存储器单元上;
在所述第一时间之后的第二时间停用所述一对晶体管,以维持所述偏移存储器单元上的所述电压;以及
在所述第二时间之后的第三时间且与感测存储在耦合到所述感测放大器的所述存储器单元阵列的存储存储器单元中的数据值同时启用所述一对晶体管。
14.根据权利要求10、11及13中任一项所述的方法,其中使所述感测放大器的所述电压差偏移包含:
使耦合到所述第一导电线的所述偏移存储器单元与所述感测放大器的第一数字线隔离;
使耦合到耦合到所述感测放大器的第二导电线的存储存储器单元与所述感测放大器的第二数字线隔离;
将耦合到所述第一导电线的所述偏移存储器单元耦合到所述感测放大器的所述第二数字线;以及
将耦合到所述第二导电线的所述存储存储器单元耦合到所述感测放大器的所述第一数字线。
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