[发明专利]固态图像传感器在审
| 申请号: | 201980056351.5 | 申请日: | 2019-08-08 |
| 公开(公告)号: | CN112640109A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
| 发明(设计)人: | 野本和生 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/336;H01L27/00;H01L29/78;H04N5/369;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 图像传感器 | ||
本技术的目的是提供一种能够降低拍摄图像的显示不均匀性的固态图像传感器。根据本技术的固态图像传感器包括:第一基板,其包括光电转换单元、连接到所述光电转换单元的传输栅单元、连接到所述传输栅单元的FD单元以及覆盖所述光电转换单元、所述传输栅单元和所述FD单元的层间绝缘膜;和第二基板,其包括放大晶体管并且配置为与所述层间绝缘膜相邻,所述放大晶体管构成经由所述层间绝缘膜连接到所述FD单元的像素晶体管的一部分并且包括背栅单元。
技术领域
本技术涉及一种固态图像传感器。
背景技术
专利文献1公开了能够降低由泄漏电流引起的噪声的固态图像传感器。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开第2014-41972号
发明内容
发明要解决的技术问题
如专利文献1所公开的,存在以下问题:即使通过抑制构成像素的采样晶体管和模拟存储复位晶体管的背栅来降低对存储器的泄漏(噪声),也不能充分实现噪声控制的效果。
本技术的目的是提供一种能够降低拍摄图像的显示不均匀性的固态图像传感器。
技术问题的解决方案
为了达到上述目的,根据本技术实施方案的固态图像传感器包括:第一基板,其包括光电转换单元、连接到所述光电转换单元的传输栅单元、连接到所述传输栅单元的浮动扩散单元以及覆盖所述光电转换单元、所述传输栅单元和所述浮动扩散单元的绝缘膜;和第二基板,其包括第一晶体管并且配置为与所述绝缘膜相邻,所述第一晶体管构成经由所述绝缘膜连接到所述浮动扩散单元的电路的一部分并且包括背栅。
所述第一晶体管可以具有SOI结构。
所述第一晶体管可以包括连接到所述背栅的前栅。
所述背栅可以包括背栅电极和背栅绝缘膜,所述前栅可以包括前栅电极和前栅绝缘膜,和所述背栅绝缘膜和所述前栅绝缘膜可以具有不同的膜类型或不同的膜结构。
所述背栅可以包括背栅电极和背栅绝缘膜,所述前栅可以包括前栅电极和前栅绝缘膜,和所述背栅绝缘膜和所述前栅绝缘膜可以具有不同的膜质量。
所述第二基板可以包括连接到所述背栅的开关单元。
根据上述实施方案的固态图像传感器还可以包括配置为与所述第二基板相邻的第三基板,在所述第三基板上形成有比较器电路,所述比较器电路包括具有背栅的SOI结构的晶体管。
根据所述实施方案的固态图像晶体管还可以包括配置为与所述第二基板相邻的第三基板,在所述第三基板上形成有比较器电路,所述比较器电路包括具有背栅的体硅结构的晶体管。
所述第二基板可以包括构成所述电路的一部分的第二晶体管和形成在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的层间绝缘膜。
所述第二基板可以包括多个所述第一晶体管,和前栅可以设置为在所述的多个第一晶体管的至少一部分中彼此可连接。
所述第一基板可以包括多个所述光电转换单元和多个所述传输栅单元。
附图说明
图1是示出了根据本技术的固态图像传感器的基板的构成例的图。
图2是示出了根据本技术第一实施方案的固态图像传感器的一个像素的示意性构成的断面图。
图3是示出了根据本技术第一实施方案的固态图像传感器的一个像素的电路构成例的图。
图4是示出了在根据本技术第一实施方案的固态图像传感器中设置的像素晶体管的配线布局的示例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





