[发明专利]处理系统和处理方法

说明书

一种对处理对象体进行处理的处理系统，该处理系统具有：改性装置，其在所述处理对象体的内部沿面方向形成内部面改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点分离所述处理对象体，所述改性装置具有：激光照射部，其向所述处理对象体的内部照射多个激光束；以及移动机构，其使所述激光照射部和所述处理对象体相对地移动，所述改性装置利用所述移动机构使来自所述激光照射部的所述多个激光束相对于所述处理对象体相对地移动，而形成所述内部面改性层。

技术领域

本公开涉及处理系统和处理方法。

背景技术

专利文献1中公开有一种层叠型半导体装置的制造方法。在该制造方法中，将两个以上的半导体晶圆层叠而制造层叠型半导体装置。此时，各半导体晶圆在层叠于其他半导体晶圆之后被进行背面磨削，以具有规定的厚度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－69736号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术能高效地使处理对象体薄化。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案为一种处理系统，其对处理对象体进行处理，其中，该处理系统具有：改性装置，其在所述处理对象体的内部沿面方向形成内部面改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点分离所述处理对象体，所述改性装置具有：激光照射部，其向所述处理对象体的内部照射多个激光束；以及移动机构，其使所述激光照射部和所述处理对象体相对地移动，所述改性装置利用所述移动机构使来自所述激光照射部的所述多个激光束相对于所述处理对象体相对地移动，而形成所述内部面改性层。

发明的效果

根据本公开，能够高效地使处理对象体薄化。

附图说明

图1是示意性表示本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概略的俯视图。

图2是表示层叠晶圆的结构的概略的侧视图。

图3是表示层叠晶圆的局部的结构的概略的侧视图。

图4是表示改性装置的结构的概略的侧视图。

图5是表示分离装置的结构的概略的侧视图。

图6是表示本实施方式所涉及的晶圆处理的主要的工序的流程图。

图7是本实施方式所涉及的晶圆处理的主要的工序的说明图。

图8是表示改性装置中在处理晶圆形成周缘改性层和分割改性层的形态的说明图。

图9是表示改性装置中在处理晶圆形成周缘改性层和分割改性层的形态的说明图。

图10是表示周缘去除装置中去除处理晶圆的周缘部的形态的说明图。

图11是表示改性装置中在处理晶圆形成内部面改性层的形态的说明图。

图12是表示改性装置中在处理晶圆形成内部面改性层的形态的说明图。

图13是表示分离装置中从处理晶圆分离背面晶圆的形态的说明图。

图14是表示另一实施方式所涉及的改性装置的结构的概略的侧视图。

图15是表示另一实施方式的改性装置中在处理晶圆形成内部面改性层的形态的说明图。