[发明专利]蚀刻的方法和等离子体处理装置

说明书

在例示性的实施方式所涉及的方法中，通过等离子体蚀刻来蚀刻第一区域，以使第一区域在比第二区域靠基板内的更深的位置提供其上表面。接下来，通过在等离子体处理装置的腔室内生成烃气的等离子体，来在基板上形成含碳的沉积物。接下来，通过等离子体蚀刻，进一步蚀刻第一区域。在烃气的等离子体的生成过程中，通过电磁体形成在基板的边缘侧上的水平分量比在基板的中心上的水平分量大的磁场分布。

技术领域

本公开的例示性的实施方式涉及一种蚀刻的方法和等离子体处理装置。

背景技术

在电子器件的制造中，进行使用了等离子体处理装置的等离子体蚀刻。在等离子体蚀刻中，相对于基板的第二区域选择性地蚀刻该基板的第一区域。第二区域由与第一区域的材料不同的材料形成。专利文献1中记载有相对于由氮化硅形成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。

在专利文献1所记载的方法中，在基板上形成氟碳化合物的沉积物。为了形成沉积物，在等离子体处理装置的腔室内生成氟碳化合物气体的等离子体。接下来，向基板供给稀有气体的离子。为了生成稀有气体的离子，在腔室内生成稀有气体的等离子体。通过向基板供给稀有气体离子，沉积物中的氟碳化合物与第一区域的氧化硅发生反应。其结果，对第一区域进行蚀刻。另一方面，第二区域被沉积物保护。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-136606号公报

发明内容

发明要解决的问题

要求提高针对基板应用的蚀刻的选择性和该蚀刻的面内均匀性。

用于解决问题的方案

在一个例示性的实施方式中，提供一种相对于由与基板的第一区域的材料不同的材料形成的该基板的第二区域选择性地蚀刻该第一区域的方法。方法包括如下工序：通过等离子体蚀刻来时刻第一区域，以使第一区域在比第二区域靠基板内的更深的位置提供其上表面。方法还包括如下工序：在执行蚀刻第一区域的工序后，通过在其中配置了基板的等离子体处理装置的腔室内生成烃气的等离子体，来在基板上形成含碳的沉积物。方法还包括如下工序：在执行生成烃气的等离子体的工序后，通过等离子体蚀刻来进一步蚀刻第一区域。在形成沉积物的工序中，通过电磁体形成在基板的边缘侧上的水平分量比在基板的中心上的水平分量大的磁场分布。

发明的效果

根据一个例示性的实施方式，能够提高针对基板应用的蚀刻的选择性和该蚀刻的面内均匀性。

附图说明

图1是表示一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻的方法的流程图。

图2是作为一例的基板的局部截面图。

图3是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图4是表示图3所示的等离子体处理装置的接地导体的内部的结构的一例的俯视图。

图5是表示能够在图1所示的工序ST1和工序ST3中分别执行的处理的例子的流程图。

图6的(a)是在方法MT的工序ST1中应用了图5所示的工序STa后的一例的基板的局部截面图，图6的(b)是在方法MT的工序ST1中应用了图5所示的工序STb后的一例的基板的局部截面图。

图7是应用了方法MT的工序ST1后的一例的基板的局部截面图。

图8是应用了方法MT的工序ST2后的一例的基板的局部截面图。