[发明专利]蚀刻的方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，相对于由与基板的第一区域的材料不同的材料形成的该基板的第二区域选择性地蚀刻该第一区域，所述方法包括以下工序：

通过等离子体蚀刻来蚀刻所述第一区域，以使所述第一区域在比所述第二区域靠所述基板内的更深的位置提供其上表面；

在执行蚀刻所述第一区域的所述工序后，通过在配置了所述基板的等离子体处理装置的腔室内生成烃气的等离子体，来在所述基板上形成含碳的沉积物；以及

在执行生成烃气的等离子体的所述工序后，通过等离子体蚀刻来进一步蚀刻所述第一区域，

其中，在形成沉积物的所述工序中，通过电磁体形成在所述基板的边缘侧上的水平分量比在所述基板的中心上的水平分量大的磁场分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一区域由含硅材料形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述第二区域由含金属材料形成。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述第一区域由氧化硅形成，所述第二区域由氮化硅形成。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的方法，其中，

在蚀刻所述第一区域的所述工序中，在配置了所述基板的所述腔室内生成包含氟碳化合物气体的处理气体的等离子体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

在进一步蚀刻所述第一区域的所述工序中，在配置了所述基板的所述腔室内生成包含氟碳化合物气体的处理气体的等离子体。

7.根据权利要求2～4中的任一项所述的方法，其中，

蚀刻所述第一区域的所述工序以及进一步蚀刻所述第一区域的所述工序中的至少一方包括以下工序：

在配置了所述基板的所述腔室内生成包含氟碳化合物气体的处理气体的等离子体，以在所述基板上形成包含氟碳化合物的沉积物；以及

在所述腔室内生成稀有气体的等离子体，以通过向所述基板供给稀有气体离子来使形成在所述基板上的所述沉积物中的氟碳化合物与所述含硅材料发生反应从而蚀刻所述第一区域。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的方法，其中，

交替重复地进行形成沉积物的所述工序和进一步蚀刻所述第一区域的所述工序。

9.一种等离子体处理装置，用于相对于由与基板的第一区域的材料不同的材料形成的该基板的第二区域选择性地蚀刻该第一区域，

所述等离子体处理装置具备：

腔室；

基板支承台，其具有下部电极，所述基板支承台设置在所述腔室内；

气体供给部，其构成为向所述腔室内供给气体；

高频电源，其构成为产生高频电力，以激励所述腔室内的气体；

电磁体，其构成为在所述腔室的内部空间中形成磁场；

驱动电源，其构成为向所述电磁体供给电流；以及

控制部，其构成为控制所述气体供给部、所述高频电源以及所述驱动电源，

其中，所述控制部构成为，

执行第一控制，所述第一控制包括控制所述气体供给部和所述高频电源，以通过等离子体蚀刻来蚀刻所述第一区域，使所述第一区域在比所述第二区域靠所述基板内的更深的位置提供其上表面，

执行第二控制，所述第二控制包括在蚀刻所述第一区域后控制所述气体供给部和所述高频电源以生成烃气的等离子体，来在所述第二区域上形成含碳的沉积物，

执行第三控制，所述第三控制包括在所述第二区域上形成所述沉积物后控制所述气体供给部和所述高频电源，以通过等离子体蚀刻来进一步蚀刻所述第一区域，

其中，所述第二控制包括在所述烃气的所述等离子体的生成过程中，控制所述驱动电源以通过所述电磁体形成在所述基板的边缘侧上的水平分量比在所述基板的中心上的水平分量大的磁场分布。