[发明专利]发光器件、包括发光器件的像素结构及其制造方法在审
申请号: | 201980053361.3 | 申请日: | 2019-02-13 |
公开(公告)号: | CN112567513A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 任铉德;姜锺赫;赵显敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/56;H01L33/54;H01L33/36;H01L33/48 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 杨永良;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 包括 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种发光器件、一种包括该发光器件的像素结构及其制造方法,该发光器件包括:第一半导体层;第二半导体层,与第一半导体层相对;活性层,置于第一半导体层与第二半导体层之间;第一绝缘膜,包围第一半导体层、第二半导体层和活性层之中的至少一层的外表面;以及第二绝缘膜,包围第一绝缘膜的外表面。
技术领域
本公开涉及一种发光元件、一种包括该发光元件的像素结构以及一种制造该像素结构的方法。
背景技术
发光二极管(LED)即使在差的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性,并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。近来,对将发光元件应用于各种发光装置的技术的研究已经变得越来越活跃。
作为这种研究的一部分,正在开发使用无机晶体结构(例如,通过生长氮化物基半导体获得的结构)制造具有与微米级或纳米级对应的小尺寸的发光元件的技术。例如,超小型发光元件可以以足够小的尺寸制造以形成自发射显示面板的像素等。
发光元件直接生长在电极上,或者发光元件单独地且独立地生长然后设置在电极上,使得发光元件设置在电极之间。在设置发光元件之后,电极和发光元件经由单独提供的结合电极电结合。随着发光元件的尺寸以纳米单位减小,当进行电结合时,由于工艺难度的增加而发生故障的可能性很高。
发明内容
技术问题
本公开的各种实施例涉及一种发光元件,包括该发光元件的像素结构以及制造该像素结构的方法,在该像素结构中,有机绝缘膜形成在发光元件的外表面上以通过化学反应而被改性为疏水性。
本公开的其他实施例涉及一种制造像素结构的方法,在该方法中,在发光元件排列之后,仅通过表面处理选择性地对有机层进行疏水处理,因此能够仅在期望的区域中形成结合电极。
技术方案
根据本公开的一方面,一种发光器件可以包括:第一半导体层;第二半导体层,面对所述第一半导体层;活性层,置于第一半导体层与第二半导体层之间;第一绝缘膜,围绕第一半导体层、第二半导体层和活性层中的至少一个的外表面;以及第二绝缘膜,围绕第一绝缘膜的外表面。
第二绝缘膜可以包括有机聚合物材料。
发光元件还可以包括疏水层,疏水层设置在第二绝缘膜的表面的至少一部分上。
第二绝缘膜可以包括聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚酰胺(PA)、聚酯和聚四氟乙烯(PTFE)中的至少一种。
此外,发光元件还可以包括第一电极和面对第一电极的第二电极中的至少一个。第一半导体层可以置于第一电极与活性层之间,并且第二半导体层可以置于第二电极与活性层之间。
根据本公开的一方面,一种像素结构可以包括:基底;电极组件,包括设置在基底上的第一电极以及与第一电极设置在同一平面上以与第一电极间隔开的第二电极;发光元件,在第一电极与第二电极之间排列;以及结合电极组件,包括第一结合电极和第二结合电极,第一结合电极形成在第一电极上以将发光元件的第一端和第一电极结合,第二结合电极形成在第二电极上以将发光元件的第二端和第二电极结合,其中,发光元件可以包括第一半导体层;第二半导体层,面对第一半导体层的;活性层,置于第一半导体层与第二半导体层之间;第一绝缘膜,围绕第一半导体层、第二半导体层和活性层中的至少一个的外表面;以及第二绝缘膜,围绕第一绝缘膜的外表面。
像素结构还可以包括第一疏水层,第一疏水层形成在第二绝缘膜的被暴露的表面上。
像素结构还可以包括有机层,有机层设置在发光元件上。
像素结构还可以包括第二疏水层,第二疏水层形成在有机层的表面上。
像素结构还可以包括坝结构,坝结构设置在第一电极和第二电极的外部,并且包括有机物。
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